第二章数字电路选读.pptx

第二章 数字电路;思考几个问题;; ;特点：单向导电。正向导通，电阻很小；反向截止，电阻很大;双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT), 俗称三极管。Transistor 源于transfer resistor 的合成单词。德州仪器（Texas Instrument, TI）1954生产出了世界上第一片硅晶体管。;2.1 逻辑信号和门电路;2.1 逻辑信号与门电路;2.2 逻辑系列;CMOS: VDD=+3V～+18V； VL=0V; VH= VDD;2.3 CMOS逻辑;2、MOS晶体管;MOS晶体管;MOS晶体管;MOS管的基本开关电路;MOS管的基本开关电路;3、基本的CMOS反相器;;4、CMOS与非门;4、CMOS或非门;4. CMOS 与非NAND 和 或非NOR 门;5、非反相缓冲 noninverting buffer;;2.4 CMOS电路的电气特性;2.4 CMOS电路的电气特性;2.4.1 CMOS稳态电气特性;逻辑电平规格 VOHmin：输出，高态的最小电压 VIHmin ：输入，高态的最小电压 VILmax ：输入，低态的最大电压 VOLmax ：输出，低态的最大电压;直流噪声容限（DC noise margin） 是一种对噪声程度的度量， 表示多大的噪声会使最坏输出电压被破坏， 成为不可被输入端识别的值。;带电阻性负载的电路特性;;;VOUT = 0;;VOUT = 0;非理想输入时的电路特性;非理想输入时的电路特性 输入偏离供电轨道（OV或5V ），输出电压变坏;扇入（fan－in）;扇出（fan-out）;39;扇出（fan-out） 当输出负载大于它的扇出能力时？？ 输出特性变差（高态、低态的电压范围） 电流?，功耗 ?，温度升高 传输延迟、转换时间变长;不用的CMOS输入端;不用的CMOS输入端处理方法;2.4.2 CMOS动态电气特性;CMOS动态电气特性;状态转换时间;46;两个原因： 晶体管的“导通”电阻，决定充电电流大小 寄生电容（stray capacitance），决定充电容量;传播延迟;49;功率损耗;动态功耗的决定因素;52;53;电流尖峰和去耦电容器;CMOS动态电气特性总结;2.4.4 其他类型CMOS输入输出结构;施密特触发反相器;三态输出：输出使能端;很大的负载电流同时流过输出级可使门电路损坏;漏极开路输出;;2.4.5 低电压CMOS逻辑和接口;2.5 双极逻辑;2.5 双极逻辑;双极结型晶体管bipolar junction transistor;2.5.1 晶体管－晶体管逻辑;NPN型晶体管原理示意图。E：emitter 发射极；B: base基极；C: collector集电极;;;;2.5.2 CMOS/TTL接口;74HCT驱动74LS 高态: 3.84 – 2.0 = 1.84V 低态: 0.8 – 0.33 = 0.47V;74HCT（看输出）驱动74LS（看输入）;74HCT（看输出）驱动74LS（看输入）