2015讲义第三章光电式传感器探究.ppt

第三章 光电式传感器;金属电子势阱： 金属中，电子自由运动；能级低于体外，欲 使逸出，外界供给能量，如同在势阱中运动。; ;③逸出条件： e 吸收 Q， Q = hv A ;⑤,光敏电流密度ip 设：入射光功率P，则有，每秒入射光子数;例：半导体;②光生伏特效应 在光照下，内建电场引起半导体PN结上产生电动势 a、 PN结原理：; b、光生伏特 光照PN结—吸收跃迁—电子孔穴对 内建电场作用—电子N区，空穴P区;晶体自然极化，形成固有偶极矩，在其两表面产生大小相等、符号相反的电荷，在外界作用下，晶体在温度变化时，其电偶极矩发生变化，两表面电荷随之变化。 （ 晶体：电石，水晶，钛酸钡，铌酸锂等） 即：某些材料具有自发极化特征，与温度有关 ;平衡－光照－温度变化－极化值变化－释放电荷形成电流－平衡 可见：温度不变化，经过一段时间－平衡－无电流 ◎只能探测光辐射的变化 ◎优点：工作时无需冷却、无需偏压 室温或高温下工作 近紫外----远红外 光谱响应;3 、输出信号;三. 光的吸收系数α;四、 特性;;3 .频率特性： 定义：相对光谱灵敏度 随入射辐射通量的调制频 率变化的特性。 原因：响应为粒子过程。 ;5、伏安特性 给定光通量和照度下， 光电流与期间两端电压的关系。;2) 结构;3)伏安特性;比较： 1.共同点:一定光照时,阳极电压达到一定程度饱合. 2.不同点:电子越多,更大的阳极电压才能收集完,饱合点不同. 3 、充气光电管在在充气离子化电压附近时阳极电流急速上升。 ;2.光电倍增管;2)倍增率 倍增系数M;3)电流放大增益G 在一定工作电压下,阳极电流与阴极电流之比iA/ik;理论与实验结论: 当外加极间电压Ud一定时,倍增率δ一定;4）典型结构;5）特性：;3、光敏电阻 (RG) 1）原理： 光电导效应 （光照 跃迁 导电率变化） ;;d) 伏安特性：;4、光电二级管和三极管;2）结构 ;a) 光谱特性：不同材料的响应峰值波长不同; c）伏安特性;5).偏置状态 a.无偏置 （光电池）; c. PIN管 ;影响PIN光电二极管响应速度的因素:;4.2光电三极管;将 b－c 结作为光敏二极管;光信号控制开关电路;光电池;短路电流;硅光电池的伏安特性;6、半导体色敏传感器;2) 光谱响应 ; ;做出其关系;7、光电闸流晶体管;8、达林顿 光电三级管;9、光耦合器;a;a;a;a;10、光导摄像管;9、达林顿 光电三级管;11、CCD图像传感器（电荷耦合器件）;;2）势阱深度与存储电荷能力;根据半导体物理理论;结论与讨论：;3）电子来源;4）光生载流子的转移;5）转移方法 电荷转移工作原理;6）三相转移原理;;7）输出;本章重点