ch2硅片的制备探究.ppt

微电子制造工艺概论;本章主要内容;2.1多晶硅的制备;2.1.1多晶硅的制备——冶炼;酸洗（hydrochlorination）：硅不溶于酸，粗硅初步提纯是用盐酸、王水、氢氟酸等混合强酸浸泡，去除粗硅中的铁、铝等主要杂质，清洗至硅纯度99.7%以上。（化学提纯） 蒸馏提纯（distillation） ：利用物质的沸点不同，而在精馏塔中通过精馏（物理提纯）来对其进行提纯。 先将酸洗过的硅氧化为SiHCl3或 SiCl4，常温下SiHCl3 (沸点31.5℃)，与SiCl4( 沸点57.6℃)都是液态，蒸馏获得高纯的SiHCl3或SiCl4。 Si+3HCl→SiHCl3+H2 Si+2Cl2→SiCl4 分解（discomposition）：氢气易于净化，且在硅中溶解度极低，因此，多用H2来还原SiHCl3和SiCl4，还原得到的硅就是半导体纯度的多晶硅。 SiCl4+2H2→Si+4HCl SiHCl3+H2→Si+3HCl 电子级硅EGS杂质：碳-ppm（百万分之几）；Ⅲ,Ⅴ族-ppb(十亿分之几) ;2.1.1多晶硅的制备——提纯;2.2 单晶硅生长;2.2.1直拉法—— Czochralski法(CZ法);四部分组成： 炉体部分： 坩埚、水冷装置和拉杆等机械传动部分； 加热控温系统 ：光学高温计、加热器、隔热装置等； 真空部分： 机械泵、扩散泵、真空计、进气阀等； 控制部分： 显示器和控制面板等 ；;在坩埚中放入电子级的多晶硅，加热使之熔融，用一个卡具夹住一块适当晶向的籽晶，悬浮在坩埚上。拉单晶时，将籽晶一端插入熔体直到熔化，然后再缓慢向上提拉，这时在液-固界面经过逐渐冷凝就形成了单晶。硅锭被拉出时，边旋转边提拉，而坩埚向相反方向旋转。;缩颈作用示意图;准备阶段： 清洗腐蚀多晶硅，除去表面沾污和氧化层，放入坩埚； 选择晶格完整性好的单晶，其晶向应与拉制单晶锭的晶向一致，籽晶表面应无氧化，无划伤； 将籽晶卡在拉杆卡具上； 开炉阶段： 将单晶生长室的真空度抽至高真空； 通入惰性气体以及所需掺杂气体； 打开加热器升温； 打开水冷装置，通入冷却水循环；;引晶 “引晶”，温度稳定时，籽晶与熔体接触，浸润良好时，缓慢提拉，硅在籽晶头部结晶。;放肩 缩颈之后，略降温，让晶体逐渐长大到所需直径。;籽晶的作用： 籽晶是作为复制样本，使拉制出的硅锭和籽晶有相同的晶向； 籽晶是作为晶核，有较大晶核的存在可以减小熔体向晶体转化时必须克服的能垒（即界面势垒）。 缩颈： 缩颈能终止拉单晶初期籽晶中的位错、表面划痕等缺陷，以及籽晶与熔体连接处的缺陷向晶锭内延伸。籽晶缺陷延伸到只有2-3mm的颈部表面时就终止了。 为保证拉制的硅锭晶格完整，可以进行多次缩颈。;停炉阶段： 降温； 停止通气； 停止抽真空； 停止通入冷却循环水； 开炉取出单晶锭。 避免单晶硅锭在较高温度暴露在空气中，带来氧化和污染。 ;晶锭质量控制 提拉速度：晶体的质量对提拉速度很敏感，典型的拉杆提拉速度一般在10μm/s左右。在靠近熔体处晶体的点缺陷浓度最高，快速冷却能阻止这些缺陷结团。点缺陷结团后多为位错环，这些环相对硅锭轴中心呈漩涡状分布，呈漩涡缺陷。 温度场的分布应适当，实际上坩埚内熔体温度呈一定分布。 籽晶的质量，晶格完好，表面无划痕、无氧化物。 缩颈目的是终止籽晶位错和缺陷，可多次缩颈。 ;掺杂方式 液相掺杂 直接掺元素：单质，重掺杂； 母合金掺杂：硅合金，轻掺杂和中等掺杂； 气相掺杂 中子辐照（NTD）掺杂—中子嬗变掺杂技术;分凝（segregation） 液相掺杂可直接在坩埚内加入杂质元素制造特定电阻率晶圆片。 对于固相—液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的分凝现象。 杂质分凝作用的大小描述—分凝系数k，定义为杂质在固相中的溶解度与杂质在液相中的溶解度之比： k=Cs/Cl ;例题： CZ法制备ρ=1Ω?cm的 n-Si单晶50kg，掺As多少？ 由电阻-掺杂浓度曲线，查出砷浓度nAs=6x1015/cm3，密度ρAs=5.73g/cm3， ρsi=2.33g/cm3 ，只需掺入的As的浓度： 砷的原子量为74.92，原子量的单位为1.6606x10-27kg，掺入砷的质量为： 称量误差±1mg，浓度误差6%。采用母合金掺杂法，制备1：10的砷硅合金。;分凝系数与晶锭中掺杂浓度的关系;2.2.3晶体掺杂——液相掺杂;2.2.3晶体掺杂——液相掺杂;采用Czochralski法生长的硅锭含有的硼原子浓度为1016 /