电子技术基础 数字部分(第六版) 康华光第3章逻辑门电路共9节.ppt

3 逻辑门电路;教学基本要求： 1、了解半导体器件的开关特性。 2、熟练掌握基本逻辑门（与、或、与非、或非、异或门）、三态门、OD门（OC门）和传输门的逻辑功能。 3、学会门电路逻辑功能分析方法。 4、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。;3.1 逻辑门电路简介;1 、逻辑门:实现基本逻辑运算和常用逻辑运算的单元电路。;1.CMOS集成电路: 广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路;逻辑变量取值0或1，对应电路中电子器件的“闭合”与“断开”。;3.2 基本CMOS逻辑门电路;CMOS门电路是以MOS管为开关器件。;1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理;1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理;1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理;2. N沟道增强型MOS管的输出特性和转移特性;3. 其他类型的MOS管;(2) N沟道耗尽型MOS管;4. MOS管开关电路;MOS管相当于一个由vGS控制的无触点开关。;由于MOS管栅极、漏极与衬底间电容，栅极与漏极之间的电容存在，电路在状态转换之间有电容充、放电过程。 输出波形上升沿、下降沿变得缓慢。;3.2.2 CMOS 反相器; 第一，vI是高电平还是低电平 ，TN和TP中总是一个导通而另一个截止。CMOS反相器的静态功耗几乎为零。 第二，MOS管导通电阻低，截止电阻高。使充、放电时间常数小，开关速度更快，具有更强的带负载能力。 第三，MOS管的，IG≈0，输入电阻高。 理论上可以带任意同类门，但负载门输入杂散电容会影响开关速度。 ;2. 电压传输特性和电流传输特性;(Transfer characteristic );4.CMOS反相器的工作速度;A B;或非门;例：分析CMOS电路，说明其逻辑功能。;3.2.4 CMOS传输门(双向模拟开关) ;1、传输门的结构及工作原理 ;;(1) 传输门组成的异或门;(2) 传输门组成的数据选择器;3.3 CMOS逻辑门电路的不同输出结构及参数;3.3.1 输入保护电路和缓冲电路;1. 输入端保护电路:;（2）CMOS逻辑门的缓冲电路;1. CMOS漏极开路门;;(2) 上拉电阻对OD门动态性能的影响;+V DD;+V DD;2.三态(TSL)输出门电路;三态门电路的应用;3.3.3 CMOS逻辑门电路的重要参数;1. 输入和输出的高、低电平;VNH —当前级门输出高电平的最小 值时允许负向噪声电压的最大值。;;4. 功耗;几种CMOS系列非门的DP性能比较 ;扇出数：是指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目。;(b)带灌电流负载;3.4 类NMOS和BiCMOS逻辑门电路;MOS集成电路分为PMOS、NMOS和CMOS。 NMOS比PMOS速度快。 CMOS有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点成为主流器件。但CMOS电路增加一个输入端必须增加一个PMOS和一个NMOS管，在某些希望芯片面积小的应用，仍采用NMOS。 类NMOS电路可与CMOS电路相匹配。;1. 类NMOS反相器;2. 类NMOS与非门和或非门;特点:功耗低、速度快、驱动力强;?I为低电平:;3.5 TTL逻辑门电路;3.5 TTL逻辑门;; CL的充、放电过程均需经历一定 的时间，必然会增加输出电压?O波 形的上升时间和下降时间，导致基 本的BJT反相器的开关速度不高。;输出级 T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。;2. TTL反相器的工作原理（逻辑关系、性能改善） ;;;采用肖特基势垒二极管SBD 限制BJT导通时的饱和深度。;2. 其他TTL门电路;3.7.1 正负逻辑问题;3.7.1 正负逻辑问题; ;3.7.2 基本逻辑门电路的等效符号及其应用;或非门及其等效符号;;;;如RE、AL都要求高电平有效，EN高电平有效;3.8 逻辑门电路使用中的几个实际问题;2)驱动器件的输出电压必须处在负载器件所要求的输入电压范围，包括高、低电压值（属于电压兼容性的问题）。;（1）输入电压极值VI(max) 和VI(min) 有些逻辑门电路允许VI超过VDD，有些不允许。 74HC系列最大输入VI(max) =VDD +0.5V，VI被钳位，不能超过VDD 。74AHC系列VI(max) =7V,采用VDD =3.3V时,允许VI3.3V。 两系列VI(min)均为0V，考虑保护二极管作用，VI(min)=-0.5V。 ;（2）输出电压极值VO(max) 和VO(min) 有些逻辑门电路允许VO超过VDD，有些不允许。 74HC和AHC系列最大输入VO(max) =VDD +0.5V，不能超过VDD 。 74LVC系列VO(max