光照对HFFe(NO3)3溶液中制备硅纳米线的作用研究.PDFVIP

光照对HF/Fe(NO 溶液中制备硅纳米线的作用研究 刘琳 王永田 Investigation of photo-induced phenomenon in the silicon nanowires made by chemical etching in HF/Fe(NO ) solution LiuLin WangYong-Tian 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,148201(2015) DOI: 10.7498/aps.64.148201 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.148201 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I14 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin Ba SiO Cl : Yb Er Li 荧光粉的制备及上转换发光性质研究 PreparationandupconversionluminescencepropertiesofBa SiO Cl : Yb Er Li phosphors 物理学报.2015,64(13): 138101 /10.7498/aps.64.138101 基于发卡式开口谐振环的柔性双频带超材料 Aflexibledual-bandmetamaterialbasedonhairpinsplit-ring resonators 物理学报.2015,64(3): 038101 /10.7498/aps.64.038101 碳硅二炔结构及性质分子动力学模拟研究 Moleculardynamicsstudyonthestructureandproperties of silicon-graphdiyne 物理学报.2013,62(23): 238101 /10.7498/aps.62.238101 物理 学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 14 (2015) 148201 光照对HF/Fe(NO 溶液中制备 硅纳米线的作用研究 刘琳 王永田 1)(华北电力大学能源动力与机械工程学院, 北京 102206) 2)(北京师范大学, 能源转换与存储材料北京市重点实验室, 北京 100875) ( 2015 年1 月7 日收到; 2015 年2 月25 日收到修改稿) 以不同掺杂浓度的单晶n 型硅为衬底、金属银为催化剂、硝酸铁作为氧化剂制备硅纳米线, 系统研究了光 照对不同硝酸铁浓度条件下用化学腐蚀法制备硅纳米线的作用. 研究发现, 不同掺杂浓度的硅衬底, 光照对 硅纳米线长度的影响明显不同. 通过对比硅纳米线的长度, 发现光照对硅纳米线的形成兼具促进和溶解作用, 并分别从能带结构、电化学表征和光致发光等方面对这两种作用的形成机理进行了深入讨论. 关键词: 硅纳米线, 化学腐蚀法, 光照 PACS: 82.45.Vp, 82.45.Yz, 81.05.Zx DOI: 10.7498/aps.64.148201 底放入溶解有氧化性的贵金属盐(硝酸银、氯金酸 1 引 言 等) 的氢氟酸溶液中. 这两种方法制备的硅纳米线 长度由腐蚀时间调控, 腐蚀出的硅纳米线直径约 硅纳米结构由于奇特的结构和物理性能, 不仅 20—300 nm, 且均在室温