03.半导体二极管及基本电路要点.ppt

第3章 半导体二极管及基本电路 ;本征半导体、空穴及其导电作用; 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。 原子按一定规律整齐排列，形成晶体点阵后，结构图为：;本征半导体——完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 ;电子空穴对;;;N型半导体的多数载流子为电子，少数载流子是空穴； P型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子是电子。;PN结的形成及特性;1.PN结的形成;2.PN结的单向导电性;外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 ;3. PN 结的电容效应;问题;1.二极管的组成;点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。;2.二极管的伏安特性及电流方程;T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移;3.4.二极管的电路分析;2.微变等效电路;3.二极管的主要参数;讨论：解决两个问题;;限幅电路;vI1 vI2;+ 9V -; + 14V -; 正半周： D1、D3 导通 D2、D4 截止;【例6】 已知二极管D的正向导通管压降VD=0.6V，C为隔直电容，vi(t)为小信号交流信号源。 试求二极管的静态工作电流IDQ，以及二极管的直流导通电阻R直。 求在室温300K时，D的小信号交流等效电阻r交 。;3.5.特殊二极管1.稳压二极管; IR; 当金属与N型半导体接触时，在其交界面处会形成势垒区，利用该势垒制作的二极管，称为肖特基二极管或表面势垒二极管。它的原理结构图和对应的电路符号如图所示; 光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件，其结构与普通二极管相似，只是管壳上留有一个能入射光线的窗口。图中示出了光电二极管的电路符号，其中，受光照区的电极为前级，不受光照区的电极为后级。;发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件。它由一个PN结构成，其???路符号如图所示。 当发光二极管正偏时，注入到N区和P区的载流子被复合时，会发出可见光和不可见光。;光电耦合器;（3）主要特点;RS232串口通讯电平 低电平：?3V~?15V 高电平：+3V~+15V TTL电平 低电平：0.7V以下 高电平： 2.7V~ +5V