负折射率材料特点及其应用.doc

负折射率材料的特点及其应用 背景 自然界存在的介质都是折射率大于0的，我们常接触的材料的折射率多数都是大于1，在定性思维的误区下，人们认为介质的折射率都为正。 直到1968年，苏联物理学家维克托·韦谢拉戈（Victor Veselago）【1】 图1. 负折射率的超材料 式中ε是比例系数，成为介电常数。 对于各项同性非铁磁性物质，磁感应强度矢量与磁场强度矢量方向保持一致，大小成正比，有 式中μ成为磁导率。 再加上， 以上三个式子被称为物质方程。 我们再来看麦克斯韦方程组的微分形式： 麦克斯韦方程组表明，任何随时间而变化的磁场，都是和涡旋电场一起的。任何变化的电场，都是和磁场联系在一起的。 在各向同性介质中，ε为标量；而有各向异性介质中时，ε为张量，D、ê不再是同方向。【9】 当讨论在无限大的各项同性介质均匀介质中的情况是，ε、μ都为常数，并且在远离辐射源的区域，不存在自由电荷和传导电流，即ρ=0，j=0。因而麦克斯韦方程组可化简为： 由于，所以 因此， 同理，得到 波动方程， 由波动方程知，D和ê满足波动方程，表明电场和磁场的传播是以波动形式进行的。且传播速度ν 式中，是相对介电常数，为相对磁导率。，为ε，μ在真空中的値；c为自由空间中的光速，。 介质的折射率表示为光线进入表面时介质改变光线线路的能力，并没有规定折射率一定为正。 我们再看一下复折射率，【5】 在导电介质中，k为小光系数。 若用来描述波动，X的模长即为代表振幅，X的相位表示博得相位。折射现象改变波矢，即对应N的实部；吸收规律满足振幅随贯穿深度的指数衰减，即对应N的虚部。 从理论上来说，N的实部可以取负数，负折射率的概念并不违背折射理论。 当我们推导折射率公式时，如图2所示， 图2. 电磁波在界面上的折射 AC、BE为波前，，，有 此式被称为Snell定律。 若单从Snell定律出发，好像n恒为正值。丹Snell定律在推导过程中忽略了一个重要的问题。 在Snell定律中，定义 即使有时，仍有n0，这只是对一般的材料适用。近年来人们发现的周期性排列的人工电介质材料的反常规现象就可以证明这一点。 在一般条件下，有。利用我们的惯性思维，就会直接取，但是这个负号不能随意去掉，也就是说理论上不违背，我们就不能排除的可能性。 定义，代入 得 上式中左边系数皆为正，要求折射率n、介电常数ε、磁导率μ为同号。【10】 即当时，n取正； 当时，n取负。 单独从麦克斯韦方程组的旋度公式来看，矢量ê，磁感应强度和波矢遵循右手规则。然而当μ0时，波传播方向发生反转，与能流方向相反，此时的ê、、遵循左手规则，所以我们也把这种负折射率材料成为左手材料。 经过实验验证，当电磁波入射到左手材料和右手材料的分界面时，折射波的方向与入射波的方向在分界面法线的同侧。【6】 由此可画出由常规材料射入到负折射率材料的光线情况，如图3所示， 图3. 光线在左手介质中的折射情况 介质一为右手材料，介质二为左手材料。在介质一中波矢和能流方向相同，在介质二中，折射光线的波矢和能流方向相反。入射光线和折射光线居于法线同侧，为入射角、为折射角，折射角大小可仍由Snell定律确定。 但之后有人提出，在RHM（右手介质）和LHM（左手介质）的交界面上发生的负折射只是相速度，与能量息息相关的群速度发生的还是正折射。这就影响到之后要讨论的完美成像的问题。 而且，如果说ε、μ都为负，那么与之相对应的能量密度， 也应为负，即负能量。关于负能量的应用和实现有待讨论，但是有文献涉及到了新奇介质的超光速运动问题。 负折射率材料的反常规现象和应用 反常成像现象 负折射介质（NIM）制作的透镜与常规介质（PIM）透镜有完全相反的效果，这是有它本身的性质决定的，【11】如图4所示， 图4. NIM介质的透镜 在图3中，第一个凸透镜起到了发散光线的作用；第二块凹透镜起到会聚光线的作用；而在第三块平板棱镜，光线分别在透镜内部和外部重新会聚成一点，成实像。由此英国皇家学院的Pendry认为，NIM可以突破衍射极限，无损耗的完美成像的“完美透镜”。 Veselago【1】曾经指出，折射率为-1的平板棱镜能将来自附近电磁波源的光线聚焦到另一侧而成像。而对于普通的光学透镜（ε0，μ0）而言，由于携带物体亚波长信息的倏逝波随传播距离呈指数衰减，因此达到像面时的电磁波必然会损失一部分关于物体的信息。 对此，Pendry【2】指出了不损失物体信息的完美透镜。 用一块NIM平板构成一块透镜，用此平板棱镜成像时，所有的傅里叶分量都会聚焦，倏逝波振幅被放大，从而保留下全部信息。 设频率为w的偶极子，其辐射场的电场分量可以利用傅里叶级数展开得， 其中，， 当时，为实数； 当时，。 此时，