基于SOI-MEMS工艺的谐振式压力传感器研究.pdfVIP

第26卷 第6期 传 感 技 术 学 报 V0l_26 No．6 2013年 6月 CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORS Jun．2013 ResearchofaM icromachinedResonantPressureSensorBasedonSOIⅥ fer CAOMingwei，CHEN Deyong ，WANGJunbo，JIAOHailong，ZHANGJian (StateKeyLaboratoryof ducerTechnology，InstituteofElectronics，ChineseAcademyofSciences，Beijing100190，China) Abstract：A micromachinedresonantpressuresensorwithH-t·ypedoubly--clampedbeamswasproposedbasedon electromagneticallydrivenanddifferentiallydetectionmethods．ThebeamsweremadeofaSO1wafer’Ssingle-crystal silicondevicelayerwith low resistivity，whichwerea]so actedasthe excitedand sensed electrodesinsteadof commonlyusedmetallayerelectrodes．Finiteelementanalysiswasutilized tooptimizethedesign ofthepressure sensor．Thesensorwasfabricatedbydeepreactiveionetchingprocessandbufferedoxideetcherreleaseprocess，and thevacuum packageofthesensorwasrealizedbyanodicbonding．Experimentalresultsshow asensitivityof14．96 Hz／hPaandlinearcorrelationcoefficientof0．999996intherangeof500hPato1100hPa． Keywords：micro—electromechanicalsystem(MEMS)；resonantpressuresensor；SOI；differentiallydetection；anodic bonding EEACC：7230；7230E doi：10．3969／j．issn．1004-1699．2013．06．009 基于 SOI．MEMS工艺的谐振式压力传感器研究冰 曹明威，陈德勇 ，王军波，焦海龙，张 健 (中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室，北京 100190) 摘 要 ：提出了一种电磁激励、差分检测的谐振式MEMS压力传感器，该器件采用低电阻率的SOI器件层单晶硅制作 “H”型 谐振梁，并作为激励和检测电极。根据对传感器数学模型的分析，利用有限元分析方法优化了传感器结构设计。采用等离子 深刻蚀制作传感器结构，并用湿法腐蚀SOI二氧化硅层的方法释放。利用硅一玻璃阳极键合技术，实现了传感器的圆片级真 空封装。采用开环扫描检测和闭环 自激振荡方式 ，测定压力传感器的特性。实验结果表明：传感器一致性 良好 ，在 500hPa～ 11O0hPa的检测范围内，差分检测灵敏度为 14．96Hz／hPa，线性相关系数为0．999996。 关键词 ：微电子机械系统；谐振式压力传感器；绝缘体上硅；差分检测；阳极键合 中图分类号 ：TP212．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—1699(2013)06—0801-05 谐振式压力传感器是高精度压力传感器中的典 河电机 Ikeda 等人研制了电磁激励、电磁检测的谐 型代表 ，在现代航空航天领域具有非常重要的作用。 振式MEMS压力传感器，制作过程涉及扩散、多晶硅 它利用压力的变化来改变物体的谐振频率，从而通过 外延生长和多次薄膜沉积工艺，制作过程非常复杂。 测量频率变