基于电子理论Ni基体上电沉积Cu膜内应力.pdfVIP

第40卷 第1期 稀有金属材料与工程 、，01．40．No．1 RAREMETAL AND 2011笠 1月 MATERIALSENGINEERING 2011 January 基于电子理论Ni基体上电沉积Cu膜内应力研究 任凤章1，曹 轲1，郑茂盛2，马战红1，苏娟华1田保红1 (1．河南科技大学，河南洛阳471003) (2．西北大学，陕西西安710069) 摘要：采用电沉积法在Ni基体上制备Cu膜。悬臂梁法在线测量沉积Cu膜后的Ni基片挠度，由测得的挠度值计算 出Cu膜内的平均内应力和分布内应力。结果表明，Cu膜内的平均内应力和分布内应力均随膜厚的增加而急剧减小。 调整而引起的Cu膜内平均内应力作出了初步估算。结果表明，理论估算结果与实验结果较接近。这说明理论计算模型 具有较高的准确性。 关键词：薄膜；内应力；悬臂梁法；电子密度：TFDC电子理论 中图法分类号：TGll5．5；TB43文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2011)01．0126．04 薄膜的内应力对薄膜制品的稳定性、使用性能和 密度作为研究材料性能的主要参数，提出表面电子密 可靠性有很大影响，其产生机制及其量化方法一直是 度相等的条件，使TFD统计模型在材料研究中得到了 人们研究的热点【l，2l。测量薄膜内应力的方法很多，主 实际应用。程开甲等人【s】在处理薄膜的应力问题时， 要有基片变形法、鼓泡法和衍射法。悬臂梁法是基片 用改进的TFD电子理论模型(TFDC)和弹性力学分析， 变形法中的一种，它简单、可靠，并能在线测量膜层 给出薄膜内应力产生的界面电子密度调整机制。 生长过程中的应力变化。 人们用鼓泡法、基片变形法和x射线衍射法大量 薄膜内应力可分为热应力和本征应力。热应力是 地研究薄膜内平均应力【9。121，而对膜内应力分布的研 由于薄膜和基片的热胀系数不同，经温度变化而引起 究则相对较少。同时，界面应力的TFDC电子理论模 的【3】。本征应力则来自薄膜和基片物理性质的不同， 型还需广泛地实验验证。本研究采用悬臂梁法研究Ni 以及薄膜中的结构缺陷[41。因此，本征应力可分为界 基体上不同厚度Cu膜的平均内应力，并以此为基础 面应力和生长应力。程开甲等人【5．6】认为，异质界面的 研究膜截面上的内应力分布和膜内应力的来源。将膜 应力是由界面电子密度连续而引起。为此，他们改进 内应力的实验结果与TFDC电子理论模型估算结果进 行对比研究。 了Thomas．Feimi．Dirac(TFD)电子理论模型，用改进的 模型Thomas—Feimi—Dirac．Cheng(TFDC)可以对界面两 1 实 验 侧电子密度调整所引起的界面应力进行近似估算(界 面电子密度因连续而需要对界面两侧电子密度自我调 用电沉积技术在Ni基体(基片)上制备Cu膜。基 mmx4mlnx0．15 h 整)。TFD电子理论模型，假设原子核周围的电子呈球体尺寸为80 mm，经过550℃，l 形云状的连续分布，且电子遵守Fermi．Dirac统计，并 退火处理。基体经金相抛光、丙酮清洗和非镀膜面压 可由Poisson方程描述。这种模型应用到材料状态方敏胶带(厚约0