〔模拟电子技术基础〕〔第4版〕第1章.pptVIP

教材: 《模拟电子技术基础》 主讲: 柯能伟 四、模电成绩如何算 作业：１０％ 期末考试：９０％ 参考课堂和答疑表现 作业：每周交 1 次，全交，有参考解答 对于杂质半导体，多子浓度约等于所掺杂质浓度，多子浓度受温度影响小； 少子（本征激发）浓度受温度影响大； 　载流子的两种运动： 扩散——载流子在浓度差作用下的运动 　载流子总是从高浓度向低浓度扩散 飘移——载流子在电场作用下的运动 　电子逆电场方向运动 　空穴顺电场方向运动 　多子扩散－＞形成空间电荷区－＞有利少子向对方漂移、阻挡多子向对方扩散， 　少子向对方的漂移－＞空间电荷区变窄－＞有利于多子向对方扩散； 　当多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡时，空间电荷区的宽度一定，形成PN结。 600 400 200 – 0.1 – 0.2 0 0.4 0.8 –50 –100 iD / mA uD / V 硅管的伏安特性 1.3.2 二极管的伏安特性 反向特性 死区 －IS 正向特性 －UBR Uon iD=f（uD） iD + uD – D UＤ 非线性特性 iD=Is(e / –1 ) uD UT ＵＢＲ反向击穿电压ＵＺ（稳压管） i-u?, q-u?, L? 反向击穿 正向和反向 开启电压： Uon Si 管：0.5V左右 Ge管：0.1V左右 正向导通电压UＤ Si 管：0.6V~0.8V　（０.７Ｖ） Ge管：0.2V~0.3V（０.３Ｖ） 二极管方程 iD=Is(e / –1 ) uD UT UT：温度的电压当量。常温下，即T=300K（270C）时，UT=26mV。 Is：反向饱和电流。 在正向段：当uDUT时，iD=Ise / uD UT 在反向段：当| uD | UT时，iD?–IS 一般:特性曲线上区分Uon和UＤ 计算时不区分Uon和UＤ 二极管的伏安特性受温度的影响。如当环境温度升高时，二极管的正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。 注意 i(mA) u(V) 0 I反 UD1 UD2 1.3.4 二极管的等效电路 能够模拟二极管特性的电路称二极管等效电路，也称二极管的等效模型。 UR R V U I I? U? uD 0 I U iD 一、二极管的直流模型 1.理想二极管(导通时正向压降为零,截止时反向电流为零)的等效模型 0 iD uD iD + uD – 大信号作用下的模型 2.二极管导通时正向压降为一常量UＤ（正向导通电压０.7V 或０.３V ），截止时反向电流为零的二极管的等效模型 iD uD 0 UＤ UＤ iD + uD – Question1 UD UON 3.二极管导通且正向压降uD大于UＤ后，其电流iD与uD成线性关系（直线斜率为1/rD），截止时反向电流为零的等效模型 iD uD 0 UＤ 以上三个等效电路中1的误差最大，3的误差最小，一般情况下多采用2所示的等效电路。 UＤ rD iD + uD – 直流电阻 二极管主要用于限幅，整流，钳位． 判断二极管是否正向导通： １．先假设二极管截止，求其阳极和阴极电位； ２．若阳极阴极电位差＞ UD ，则其正向导通； ３．若电路有多个二极管，阳极和阴极电位差最大的二极管优先导通；其导通后，其阳极阴极电位差被钳制在正向导通电压（０.7V 或０.３V ）；再判断其它二极管． 用直流模型2 * 绪 论 一、课程的地位和主要内容 电路、电子技术（模拟、数字）、微机原理、自动控制原理、通信原理、…… 电子技术——研究电子器件、电子电路 及其应用的科学技术。 　　　　器件为路用 绪论 模拟信号： 在时间和数值上连续的信号。 t u 模拟电路 计算机检测控制系统原理框图 微 机 传感器 伺服机构 模拟信号处理 功率放大 模数转换 数模转换 数字接口 数字接口 被 测 控 对 象 干扰、噪声、漂移、非线性 绪论 二、电子技术的典型应用 模拟电子技术 数字电子技术 电机 三、如何学好模电 绪论 课程特点：内容多、内容杂、工程实践性强 1、抓“重点” 2、注重综合分析 注重工程化素质培养 3、提高学习效率、培养自学能力 课堂、答疑、作业、自学 “基本电路”原理 基本原理 基 本 分析方法 图解法、小信号等效电路法 放大器、反馈、振荡器 内容提要 半导体器件是组成各种电子电路——包括模拟电路和数字电路，集成电路和分立元件电路的