工学系大学院単位互换e-ラーニング科目 気光学入门第10回 気光学.ppt

工学系大学院単位互換e-ラーニング科目磁気光学入門第10回磁気光学スペクトルと電子構造 佐藤勝昭 第9回に学んだこと、第10回に学ぶこと 第9回では、磁気光学効果の測定法について学習しました。 特に、磁気光学スペクトルの測定法について詳しく述べました。 今回は磁気光学スペクトルが磁性体の電子構造をどのように反映しているかについて述べます。 実験から誘電率または導電率テンソルを求める ナマの磁気光学スペクトル 反射スペクトル n,κを求める 両者を用いてσ、あるいはεの対角?非対角成分を求める。 局在電子磁性と遍歴電子(バンド)磁性 絶縁性磁性体：3d電子は電子相関により格子位置に局在→格子位置に原子の磁気モーメント→交換相互作用でそろえ合うと強磁性が発現 磁性半導体：局在磁気モーメントと自由電子のスピンが相互作用→バンド端の磁気光学現象 金属性磁性体：3d電子は混成して結晶全体に広がりバンドをつくる 多数スピンバンドと少数スピンバンドが交換分裂で相対的にずれ→フェルミ面以下の電子数の差が磁気モーメントを作る ハーフメタル磁性体：多数スピンは金属、小数スピンは半導体→フェルミ面付近のエネルギーの電子は100%スピン偏極 局在か非局在か モットは局在電子系に何らかの外部要因が加わって非局在電子系に転移することがあり、その変化はcatastrophicに起きることを示しました。このような転移をモット転移といいます。 V2O3は低温では絶縁体ですが、ある温度で何桁も導電率が上昇して金属的な電気伝導を示すようになります。構造変化が引き金になっていますが、モット転移の典型例と考えられています。 何らかの理由で局在していた波動関数同士が重なり合うと、クーロン力が遮蔽を受けて、非局在化しさらに電子が広がって、ついに金属的なるというのです。 ハバードモデル バンドモデルに電子相関を導入する手法がハバードモデルです。図は、横軸を?/Uにとったとき、電子のエネルギー準位が?/Uに対しどのように変わるかを示した図です。 ここに?はバンド幅で電子の移動のしやすさの尺度です。T0は満ちたバンドの平均エネルギーです。 バンド幅が電子相関エネルギーに比べ十分小さなとき、すなわち、?/U2/31/2のときは禁制帯が現れ、系は絶縁体となります。 電荷移動型絶縁体 MnOは電荷移動型絶縁体と考えられている。Mn2+においては3d電子5個がスピンを揃えてlower Hubbard bandの5個の軌道を占有している。ここに1個電子を付け加えようとすると、逆向きのスピンを付け加えなければならないので、upper Hubbard bandに入り、電子相関Uだけエネルギーを損する。 実際には、酸化物イオンのp軌道からなる価電子帯が満ちたバンドの頂にくるので、ギャップはこの状態と3d電子系のupper Hubbard bandの間に開いている。これを電荷移動型ギャップという。 各種磁性体の磁気光学効果 局在電子系 酸化物磁性体：磁性ガーネット 局在?遍歴共存系 磁性半導体：CdCr2Se4, CdMnTeなど 遍歴電子系 金属磁性体：Fe, Co, Ni 金属間化合物?合金：PtMnSb, MnBi, Cr3Te4, Fe7Se8など 局在電子系のエネルギー準位 Mott-Hubbard 局在（Mott絶縁体) 電子相関がバンド幅より十分大きいとき 電子の移動がおきるとクーロンエネルギーを損する d↑bandとd↓band間にMott-Hubbard gap NiS2、V2O3など 電荷移動型局在(Charge-transfer絶縁体) Mott-Hubbard gap内にアニオンのp価電子帯 d↑bandとp価電子帯間にcharge transfer gap MnO, CoO, NiO, MnS, さまざまな絶縁体 (a) Wilson型絶縁体、　(b)Mott絶縁体、　(c) 電荷移動絶縁体 局在電子系の光学遷移 配位子場遷移(結晶場遷移) dn多重項間の遷移；parity forbidden 実際にはd軌道と配位子のｐ軌道が混成t2軌道とe軌道に分裂 弱い遷移なので普通は磁気光学効果への寄与小 電荷移動遷移 P軌道からd軌道への遷移;allowed MX6クラスターの電子準位図 図6.1にはアニオンXの作る八面体の中心に遷移元素ＭがおかれたMX6クラスタを示します． このクラスタにおける電子準位を摸式的に描いたものが次のスライドの図6.2です． 8面体配位における電子準位図 図の左側は遷移元素イオンの電子準位で，立方対称の結晶場を受けたd電子軌道は軸方向に伸びたdγ軌道の準位と2つの軸で作られる平面内に伸びたdε軌道の準位とに分裂します． 一方，図の右端は配