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碳纳米管的化学制备工艺
碳纳米管的化学制备工艺 * 目录 碳纳米管简介 目前碳纳米管的制备工艺 CVD法制备碳纳米管 碳纳米管的广泛应用 * 1.碳纳米管简介 碳纳米管是由类似石墨的六边形碳原子网络围成的一维纳米管状物。它可根据管壁所含的石墨层数分为两类,即单壁碳纳米管(Single-walled cabon nanotube)和多壁碳纳米管(Muiti-walled cabon nanotube) 碳纳米管的性能: a.优秀的力学性能:轴向弹性模量1.0TPa;强度模量37GPa;杨氏模量1.3TPa; b.电学性能:结构稳定,杂质原子难于置换,则电子传输不受杂质原子的散射,进行弹道输运; c.导热性能:室温下导热系数6600W/m?K,是金刚石和石墨表面导热系数的三倍多; * 2.碳纳米管的制备工艺 2.1物理方法 电弧法(最早应用于制备碳纳米管的方法):在设备的真空反应室内充入一定压强的惰性气体(如氦气、氢气、氮气等),采用面积较大的石墨棒作阴极,面积较小的石墨棒为阳极。两石墨电极之间保持一定的间隙。在电弧放电的过程中,反应的温度可以达到3000℃~4000℃,阳极石墨棒不断被消耗,最后在阴极上沉积出碳纳米管、富勒烯、石墨微粒、无定形碳和其他形式的碳微粒,同时在电极室的壁上沉积出含有富勒烯、无定形碳等碳微粒组成的烟灰。该法合成碳纳米管长度可以达到数十微米,直径5~30纳米,制备的多壁碳纳米管具有很高的结晶度。 激光蒸发:在温度达1200℃的高温炉炉腔内,利用脉冲或连续的激光使催化剂与石墨粉末高压压制而成的石墨靶材气化(两种激光的不同在于脉冲激光的强度(100KW/cm2)要远大于连续激光的强度(10KW/cm2)),高温的含碳气流冷却过程中,形成碳纳米管 射频等离子体蒸发:射频等离子火焰使石墨棒达到并保持很高的温度,石墨棒表面的碳被蒸发,并持续、稳定地产生气态碳原子,碳原子相互作用重新结合形成碳纳米管。 * 2.碳纳米管的制备工艺 2.2化学方法 激光辅助热解法:在1650℃下对β-SiC进行烧结,并将烧结产物减薄做成薄片放入透射电镜中;然后,利用安装于电镜中的激光器在几分钟内将碳化硅薄片加热到1700℃,使碳化硅表面分子发生热分解。碳化硅与电镜内残余的氧气反应生成一氧化硅和固态碳,一氧化硅被蒸发掉,而固态碳则转换成碳纳米管和非晶碳,在薄片表面生成一层碳纳米管薄膜。 热处理法:在超高真空环境(P10-9Torr)下将6H-SiC晶片加热到1350℃以上进行热处理即可得到碳纳米管。当热处理的温度为1650℃时,制备的碳管中含有T型,Y型以及网状结构的单壁碳纳米管。 对流式火焰法:燃烧炉顶部和底部均有进气管道,燃气流(碳源)自顶部向下,氧化气流(氧气和氮气)自底部向上,两股气流在交汇处形成气流滞留带,并形成稳定的扩散焰。当氧气含量大于50%时,可以获得直径几十纳米,长几十至几百纳米的多壁碳纳米管。 CVD合成碳纳米管:目前最主要的合成碳纳米管的方法。 * 3.CVD制备碳纳米管 3.1CVD制备碳纳米管的方法 使含碳气体(如乙烯、乙炔、CO、甲烷、丙烯等有机气体)在一定温度下,在过渡金属铁、钴或镍等催化剂作用下进行催化分解,或者直接热分解含铁、钴或镍的碳化合物,如二茂铁以及羰基化合物等,来制备碳纳米管的方法。反应温度一般为600℃~1000℃,反应时间根据催化剂用量、混合气流速和反应温度而定。 催化剂的种类、载体、反应温度等因素对所生成的碳纳米管的数量、质量、形貌、结构具有影响。2006年,Maksimova[1]等采用模板CVD方法,在多孔氧化铝模板的孔道内生成碳纳米管,得到了阵列碳纳米管。在该方法中,碳纳米管的生长主要受模板孔径、形状的控制。虽然多孔氧化铝模板对碳管的生长具有催化作用,但是制备的碳纳米管中并不含有催化剂颗粒,避免了催化剂颗粒对纳米管性能的影响。由 * 3.CVD制备碳纳米管 3.2CVD制备碳纳米管的生长机理 a.顶部生长机理:在碳纳米管顶部,催化剂微粒没有被碳覆盖的部分,吸附并催化裂解碳氢分子而产生碳原子,碳原子在催化剂表面扩散或穿过催化剂进入碳纳米管与催化剂接触的开口处,实现碳纳米管生长。在碳纳米管生长过程中,催化剂始终在碳纳米管的顶端,随着碳纳米管的生长而迁移(图a) b. 底部生长机理:碳原子从碳管的底部扩散进入石墨层网络,挤压而形成碳纳米管,底部生长机理最主要的特征是:碳管一端与催化剂微粒相连,另一端是不含有金属微粒的封闭端(图b)。 a顶
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