近场光学显微镜(SNOM).ppt

近場光學顯微鏡(SNOM) 報告者：陳信宇 　　　　嚴國瑋 目錄 發展歷史 原理 設計 應用 歷史 1928，英國的辛格(E. H. Synge)和1956，及美國的歐基夫(O’Keefe)提出概念。 1972，亞許(E. A. Ash)與尼可斯(G. Nichols)以波長是3cm的微波，證實可在近場範圍中達到1／60波長的空間解析度。 1982年到1988年，費雪（Fisher）等人在德國哥廷根的馬克士普郎克研究中心、普爾等人在瑞士IBM研究中心以及路易斯(Lewis)等人在美國康乃爾大學，分別以STM的探針控制技術進行近場光學顯微儀的製作。 1986年賓尼等人在美國史丹佛大學發明的原子力顯微儀(AFM)。 1992年美國ATT 實驗室的Eric Betzig及羅徹斯特理工學院的傅耶茲－伊拉凡尼(Mehdi Vaez-Iravani)，分別提出以剪力顯微鏡(SFM)的技術作為近場光學顯微儀光學探針的高度控制，並證實可獲得極穩定及重覆性頗佳的近場光學影像。 原理 近場和遠場 Rayleigh criterion： d=1.22λ／2n sinθ λ：光波長　n：光學介質折射係數　 θ：透鏡的半角 提高解析度 縮短使用光波的波長。 高折射係數介質。 穴半角大的物鏡，如大口徑與高曲度的物鏡。 *擷取自科學發展386期 設計 掃描式近場光學顯微鏡(SNOM)探針 SNOM所使用的光纖探針，其製作方式是將裸光纖以二氧化碳雷射聚焦加熱後熔拉，形成具奈米尺度之尖銳探針後，再以迴旋蒸鍍的方式覆鍍上一層金屬(通常是鋁)薄膜，使其在探針尖端形成奈米尺寸之光學孔穴。 應用 1.空間光學解析度與奈米材料的分辨 圖三為利用s-SNOM 掃描所得到的地貌圖及光場 強度圖，所使用的探針是小於10 nm的矽探針外覆 20 nm的鉑銥合金的鍍膜，樣品為矽基板表面有金 的奈米島狀結構。 2. 電漿子光學量測 利用s-SNOM測量近場光場分布，通常會以p偏振態雷射光為光源，以斜向入射到樣品上，光線打在結構上產生的表面電磁波會與入射光波產生干涉波紋，入射光波的行為為已知，因此對掃描得到的散射場行為做分析，則可得到樣品表面的電磁場行為。 參考資料 科學發展，386期。 維基百科，關鍵字“SNOM”。 工業材料雜誌，238期。