锑化铟离子注入退火技术研究.PDFVIP

第４３卷　 第１２期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４３，Ｎｏ．１２ 　 ２０１３年１２月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ，２０１３ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１３）１２１３７２０４ ·红外材料与器件 · 锑化铟离子注入退火技术研究 李海燕，杜红艳，赵建忠 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） ＋ 摘　要：对锑化铟（ＩｎＳｂ）铍离子（Ｂｅ）注入后的快速退火技术进行了研究，并对不同退火温度 和时间的晶片进行了工艺实验，通过测试其ＰＮ结Ｉ－Ｖ特性，对比了不同快速退火条件对ＰＮ 结特性的影响，确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的ＰＮ结，并对试验结果进行了 分析。 关键词：锑化铟；离子注入；快速热退火 中图分类号：ＴＮ２１３　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１３．１２．１２ ＳｔｕｄｙｏｎＩｎＳｂｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｎｅａｌｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＬＩＨａｉｙａｎ，ＤＵＨｏｎｇｙａｎ，ＺＨＡＯＪｉａｎｚｈｏｎｇ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＲａｐｉｄｔｈｅｒｍａｌａｎｎｅａｌｉｎｇｏｆＩｎＳｂｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＢｅｉｓｓｔｕｄｉｅｄ，ａｎｄｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓｏｆｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｎｎｅａｌｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓａｎｄａｎｎｅａｌｉｎｇｔｉｍｅａｒｅｍａｄｅＴｈｒｏｕｇｈｔｈｅＩＶｔｅｓｔｏｆＰＮｊｕｎｃｔｉｏｎｓ，ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｎｎｅａｌｉｎｇｃｏｎｄｉ ｔｉｏｎｓｏｎＰＮｊｕｎｃｔｉｏｎｓａｒｅｃｏｍｐａｒｅｄＰＮｊｕｎｃｔｉｏｎｓｏｆｈｉｇｈｑｕａｌｉｔｙｃａｎｂｅａｃｑｕｉｒｅｄｕｎｄｅｒｔｈｅｅｘｃｌｕｓｉｖｅｇｉｖｅｎａｎｎｅａｌｉｎｇ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ，ｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｒｅｓｕｌｔｓａｒｅａｎａｌｙｚｅｄ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＩｎＳｂ；ｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ；ｒａｐｉｄｔｈｅｒｍａｌａｎｎｅａｌｉｎｇ １　引　言 佳退火条件。 ＩｎＳｂ是一种 － 族窄禁带化合物半导体， ２　机理分析 Ⅲ Ⅴ 是目前研制３～５ ｍ波段红外焦平面阵列的重要 一定能量的入射离子进入晶体后，与晶体中 μ 半导体材料。在ＩｎＳｂ红外焦平面阵列的研制中， 的原子相互作用，使晶体中的原子经碰撞后获得 常用扩散和离子注入两种方法掺杂成结，近年来， 足够的能量摆脱晶格束缚，离开它的平衡位置进 离子注入方法因其对掺入杂质精确的控制能力逐 入间隙，形成缺陷对，此外，被移位的原子也可能 ［１］ 把它的能量依次转移到其他原子上，发生级联移 渐取代扩散法 。由于离子注入工艺过程中会对 衬底材料晶格结构造成损伤，同时掺入杂质并未 位，形成更多的缺陷，当注入离子数量增加时，这 处于激活状态，因此需要采用退火工艺消除晶格 种缺陷可能重迭、扩大成复杂的损伤，考虑到实际 损伤，激活注入杂质。常用退火方法有两种，一种 晶体中杂质与缺陷的相互影响以及缺陷的复合扩 是常规退火，一种是快速热退火，相较于常规退 散等因素，可以想象，离子注入给晶体造成的辐射 火，快速热退火升温快，退火时间短，具有杂质激