陈朝--太阳能级多晶硅标准建议-2011.pptVIP

中国能源环境高峰论坛太阳能级多晶硅标准的建议 —关于2011年全国“太阳能级多晶硅片” 南昌标准化会议介绍陈 朝E－mial：cchen@厦门大学能源研究院2011年1月9日于厦门 纲要 一、 建立太阳能标准的重要性 二、国内外太阳能级多晶硅标准的情况 三、多晶硅太阳电池对材料的要求 四、南昌标准化会议简介 五、一些建议 一、 建立太阳能级多晶硅标准的重要性 什么是太阳能级多晶硅(SoG-MS)? 显然是能够制备太阳电池的多晶硅材料。 自然要问： （1）什么样的多晶硅材料能制备太阳电池？ （2）这种材料能制备什么性能的太阳电池？ 这不但是SoG-MS的标准问题， 也是多晶硅太阳电池的基本物理问题。 据检索目前国内外没有统一的标准和规范，势必造成材料厂商和电池厂商的矛盾，不利于光伏产业的发展和光伏发电的推广应用。 标准化工作的复杂性： 标准必须符合半导体材料和太阳电池工作的看出科学原理； 标准应即推动太阳能级多晶硅产业的发展、也要推动太阳电池产业的发展； 标准要适应当前太阳能级多晶硅的生产水平； 标准要满足太阳电池厂家对材料的要求。 二、国内外太阳能级多晶硅标准的情况（国内部分） （1）信息产业部2006年6月“太阳能电池用多晶硅材料研发及产业化”招标文件，对技术的总体要求： 总量0.3ppma 即6N~7N （2）863计划建议初稿（05） “千吨级高纯多晶硅生产线工艺关键技术开发” 技术经济指标 （一）纯度 1、电子级多晶硅9 N – 11 N。 2、太阳能级多晶硅6 N – 8 N。 （二）杂质含量指标 1、电子级多晶硅 （1）硼 ≤ 0.20 ppba （2）施主 ≤ 0.90 ppba （3）碳 ≤ 1.0 ppma （4）Fe, Cu, Ni 和 Cr等金属杂质总含量 ≤ 30.0 ppba 2、太阳能级多晶硅 达到太阳电池生产要求 （3）“十一五”攻关计划（初稿） 产品质量考核指标： ①电子级多晶硅 杂质含量： P≤0.15ppba，B≤0.03 ppba， C≤0.1ppma， 体内金属杂质≤1.5ppba。 ② 太阳能电池级多晶硅： N型电阻率≥50Ω·cm, P型电阻率≥300Ω·cm， 杂质含量：P≤1ppba，Ｂ≤2ppba，C≤1.0ppma， 重金属杂质总量（Cu、Fe、Ni、Cr、Zn）≤20ppbw。 ③ 低成本、新工艺、新技术研究生产的产品： 纯度：6～7个9。 （4）06年国家科技支撑计划重点项目 “多晶硅材料产业关键技术开发”课题申请指南中 低成本多晶硅新工艺技术研究主要考核指标： “形成全流程工艺试验装置， 制备的多晶硅产品少子寿命≥10μs， 纯度满足太阳能电池要求。 经测算，直接生产成本不高于20美元/kg。 开发具有自主知识产权的低成本新工艺技术， 共申报专利4项以上”。 半导体材料协会2009年10月提出 GB/T《太阳能级多晶硅》的主要技术指标 一、太阳能级多晶硅等级指标（项目一） 1级品 2级品 3级品 基磷电阻率，Ω·cm ≥100 ≥40 ≥20 基硼电阻率，Ω·cm ≥500 ≥200 ≥100 少数载流子寿命，μs ≥100 ≥50 ≥30 氧浓度，atoms/cm3 ≤1.0×1017 ≤1.0×1017 ≤1.5×1017 碳浓度，atoms/cm3 ≤2.5×1016 ≤4.0×1016 ≤4.5×1016 二、太阳能级多晶硅等级指标（项目二） 1级品 2级品 3级品施主杂质浓度，ppba ≤1.5 ≤3.76 ≤7.74受主杂质浓度，ppba ≤0.5 ≤1.3 ≤2.7少数载流子寿命，μs ≥100 ≥50 ≥