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内容回顾—MOSFET特性
模拟电子技术基础 内容回顾—MOSFET特性 5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 （CMOS共源放大电路） 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 (1)简单的共源极放大电路（N沟道） 增强型？耗尽型？ 栅源加什么极性偏置电压？ Q点包含哪几个电量？ 直流通路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 须满足 VGS＞VT, 否则工作在截止区。 假设工作在饱和区， 即 VDS(VGS-VT) 验证是否满足 VDS(VGS-VT) 如果不满足，则说明假设错误,则可能工作于可变电阻区。 iG≈0 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 再假设工作在可变电阻区 即 VDS ＜ (VGS-VT) 例： 设Rg1=60kΩ，Rg2=40kΩ Rd=15kΩ ，VDD=5V，VT=1V，Kn=0.2mA/V2。 试计算电路的静态漏极电流IDQ 和漏源电压VDSQ。 解： 假设工作在饱和区 满足 VDS(VGS-VT) 假设成立，结果即为所求。 而VT=1V, 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 2. 图解分析 5.2.1 MOSFET放大电路 场效应管工作于哪个区域？ ①令vi=0 则vGS=VGSQ=VGG 2. 图解分析 5.2.1 MOSFET放大电路 ②令vi≠0 则vGS=VGG+ vi=VGS+vi =VGS+vgs 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 (1)模型建立 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性 失真项 3. 小信号模型分析 (1)模型建立 λ≠0，即场效应 管输出电阻有限时 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 电路如图所示，求动态性能指标。 工作于饱和区 画交流通路 Vo=? Vi=? 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 Vo=? Vi=? 模拟电子技术基础
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