透明导电ITO欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管.pdfVIP

并电子·激W V01．18No．5 2007 第18卷第5期2007年5月 Journal May ofoptoelectronics·Laser 透明导电1TO欧姆接触的AIGalnP薄膜发光二极管* 张剑铭一，邹德恕，刘思南，朱彦旭，沈光地 (tt京工业大学北京市光电子技术实验室，北京100022) 摘要：提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的舢GaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺。在 这个结构里，ITO还作为窗口层材料，增强电流扩展，并应用了高反射率的金属作为反光镜。用An-an合金(Au ：Sn=8：2，重量比)作为焊料，把带有金属反光镜的A1GalnPum(RsL王∞)外延片倒装键合到GaAs基板上， mA时，RS-LED的光 姆接触的AIGalnP薄膜RS-LED结构能极大提高光输出功率和发光强度。正向电流20 20 输出功率分别是ASLED和DBR-AS-LED的2．4倍和1．7倍；RS-LEDmA下峰值波长624nITl的轴向光强 20 20 达到了179．6mcd，分别是AS-LEDmA下峰值波长627nIn和DBR-AS-LEDrnA下峰值波长623nm轴向 光强的2．2倍和1．3倍。 关键词：A1GalnP；氧化铟锡(ITO)；薄膜发光二极管(LED)；发光强度 中图分类号：TN312+．8文献标识码：A 文章编号：1005—0086(2007)05—0562—04 Thin-Film Diodeswith IndiumTinOxide A1GalnP LightEmitting TransparentConducting p-type OhmicContacts ZHANG Guan-di De-shu，LIUSi-nan，ZHUYan-xu，SHEN Jian-ming一，ZOU of (BeijingOptoeleetronicTechnologyLaboratory，BeijingUniversityTechnology，100022，China) efficientAtGaInPthin-fdm indiumtinoxide(ITO) Abstract：Ahigh emittingdiode(LI丑))withtransparentconducting light ohmiccontactsandwitha metalreflectorstructurewas arealsousedaswin— p-type highmflecfivity proposed．IT0layers and current