第1章 光与电导探测器.ppt

*;*;*;*;*;*;*;*;1. 本征半导体;2. N型半导体;3.P 型半导体;*;*;6. 电导率和迁移率的关系;; 中文名称：光电导探测器 英文名称：photoconductive detector 定义：一种利用半导体材料（光敏电阻）的光电导效应制成的光探测器。 ;1.本征型光敏电阻;1.2 光敏电阻的结构;;光电导效应----; 工作电流大；？，可达数毫安。 灵敏度高；？ 光电导增益大；？大于1； 光谱响应范围宽；？根据光电导材料的不同，光谱响应 可从紫外光、可见光、近红外扩展到远红外，尤其红光和 红外辐射有较高的响应度。 所测光强范围宽;?，既可测强光也可测弱光。 偏置电压低，无极性之分。?;1.5 光敏电阻的参数确定;1.4 光敏电阻的参数确定; 2.受光照时,由光照产生的光生载流子迅速增加,它的阻值急剧减少。在外电场作用下光生载流子沿一定方向运动,在电路中形成电流,光生载流子越多电流越大。 ;由于光照的增加, 电导率增加了,光电流也增加了。;*;1.6;*;设：光电阻上的电压为U, 光电导长度为L，横截面积为A;三种量之间的关系--------; 因此在设计光敏电阻时为了既减小电极间的距离L,又保证光敏电阻有足够的受光面积,一般采用如图所示的几种电极结构。;暗电导：;光电导增益：表示长度为L的光电导