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第9章 光电器件 半导体器件物理 第9章 光电器件 Semiconductor Physics and Devices 半导体器件物理 第9章 光电器件 * 发光二极管（LED）是一种p-n结，能在紫外光、可见光、红外区域辐射自发辐射光。可见光LED：各种电子仪器设备与使用者之间的信息传送，红外光LED：光隔离及光纤通讯方面。 人眼只对光子能量hν≥ 1.8eV（λ≤0.7μm）的光线感光，因此所选半导体Eg必须大于此极限值。右图标识几种半导体材料的禁带宽度值。 可见光发光二极管 9.2 发光二极管 右表列出用在可见光与红外光谱区产生光源的半导体。 所列的半导体材料，对可见光LED，最重要的是GaAs1-yPy与GaxIn1-xN合金的Ⅲ-V族化合物系统。 材 料 波长／nm InAsSbP／InAs 4200 InAs 3800 GaInAsP/GaSb 2000 GaSb 1800 GaxIn1-xAs1-yPy 1100~1600 Ga0.47In0.53As 1550 Ga0.27In0.73As0.63P0.37 1300 GaAs: Er, InP: Er 1540 Si: C 1300 GaAs: Yb, InP: Yb 1000 AlxGa1-xAs: Si 650~940 GaAs: Si 940 Al0.11Ga0.89As: Si 830 Al0.4Ga0.6As: Si 650 GaAs0.6P0.4 660 GaAs0.4P0.6 620 GaAs0.15P0.85 590 (AlxGa1-x)0.5In0.5P 655 GaP 690 GaP: N 550~570 GaxIn1-xN 340, 430, 590 SiC 400~460 BN 260, 310, 490 * 第9章 光电器件 当有一个以上第Ⅲ族元素均匀分散于第Ⅲ族元素的晶格位置，或有一个以上第V族元素均匀分散于第V族元素的晶格位置，形成Ⅲ-V族化合物合金。 三元化合物常用符号AxB1-xC或AC1-yDy，四元化合物用AxB1-xCyD1-y表示，其中A和B为第Ⅲ族元素，C和D为第V族元素，x和y是物质的量的比。 右图表示GaAs1-yPy禁带宽度是物质的量的比y的函数。 0y0.45，直接禁带半导体；Eg由y=0时的1.424eV增加到y=0.45时的1.977eV。 y0.45，间接禁带半导体。 * 第9章 光电器件 右图表示几种合金成分的E-p图。导带有两个极小值，位于导带直接极小值的电子及位于EV的空穴具有相同动量，p=0；位于导带间接极小值的电子及位于EV的空穴具有不同动量，p=pmax。 辐射跃迁大部分发生于直接禁带，如GaAs及GaAs1-yPy（y0.45），动量守恒，hυ=Eg。 * 第9章 光电器件 GaP及y0.45的GaAs1-yPy，间接禁带，辐射跃迁几率小，必须保持动量守恒，通过引进复合中心增加辐射几率。如GaAs1-yPy，引入N取代P，二者外围电子结构相似，但核心结构不同，因此在接近EC建立一电子陷阱能级，进而产生一等电子复合中心，提高间接禁带半导体的辐射跃迁几率。 含有氮的量子效率则显著提高，但y0.5时，量子效率随y的增加而减小，因其直接禁带与间接禁带之间的距离加大了。 下图表示GaAs1-yPy在含或不含等电子杂质氮时，量子效率（即每一电子-空穴对所产生的光子数目）与合金成分的关系。 不含氮时，量子效率在0.4y0.5的范围内会急剧下降，因为禁带宽度在越过y=0.45这点发生变化，从直接禁带转换到间接禁带。 * 第9章 光电器件 001 . 0 01 . 0 1 . 0 0 . 1 0 2 . 0 4 . 0 6 . 0 8 . 0 0 . 1 不含氮 001 . 0 01 . 0 1 . 0 0 . 1 0 2 . 0 4 . 0 6 . 0 8 . 0 0 . 1 不含氮 含氮 y 合金成分 % / 量 子 效 率 图(b)是以GaP为衬底制造的发橙、黄或绿光的间接禁带LED，外延法生长缓变型GaAs1-yPy合金层，用来使界面间因晶格不匹配所导致的非辐射性中心减至最小。 下图是平面二极管架构的可见光LED基本结构图。其中图(a)是以GaAs为衬底制造的发红光的直接禁带LED截面图。 * 第9章 光电器件 目前最有希望的是氮化镓（Eg=3.44eV）和相关的Ⅲ-V族氮化物半导体，如AlGaInN，其直接禁带范围由1.95eV至6.2eV。 高亮度蓝光，已被研究的材料：Ⅱ-Ⅵ族化合物的硒化锌、Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体的氮化镓、Ⅳ-Ⅳ族化合物的碳化硅。然而，Ⅱ-Ⅵ的寿命太短；碳化硅因其为间接禁带，发出的蓝光亮度太低。 Ni/Au p 型电极 GaN - p N Ga Al -