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光学电压传感器探头的电场计算与分析
16 - June2003 HighVoltageApparatus Vol.39 No.3
文，绷号 :1001-1609(2003)03-0016-02
光学电压传感器探头的电场计算与分析
唐 怒，李仰平，耿
西〔安交通大学 电力设备电气绝缘国家重点实验室. 西安 710049
ELECTRIC-FIELD CALCULATION ANDANALYSISOFTHE SENSOR
IN OPTICAL VOLTAGE TRANSDUCER
TANGShu,U Yang-ping,GENGBo
(XianJiaotongUniversity,Xian710049,China
摘要:概述r光学电压传感器的原理与结构类型，并着重计 可以测量直流电压和瞬态电压 (脉冲电压、冲击电
算分析了传感器探头的方形、八边形和圆形晶体分别在平板 压)，它还具有非常宽的频带，与光纤传输网联网可
电极和圆弧电极中的电场分布。模拟计算结果得出，采用不 以实现遥测和遥控，易满足小型化、智能化、多功能
同形状的电光晶体和电极组合 可以改善晶体内外电场分布
的要求，是传统的电压测量设备所无法比拟的。
的均匀性，减弱电场的集聚效应，从而有效地提高耐压和测
量的稳定性及准确度 2 光学电压传感器基本原理
关钧词:光学电压传感器;电光效应;电场分布
中圈分类号:TM451.7 文献标识码:A 目前研究的光学电压传感器大多基于线性电光
Abstract:Thetheoryandstructureoftheopticalvoltage 效应(Pockets效应)，其基本原理是:电光晶体(例如
transducerisintroducedinthispaper,whichfocusesonthe BGO晶体)，在没有外加电场作用时是各向同性的;
electricfieldcalculationandanalysisofthesensorswithdif- 而在外加电场作用下，晶体变为各向异性的双轴晶
ferentshapesofcrystalsunderflatelectrodesandarcualones 体，从而导致其折射率和通过晶体的光偏振态发生
respectively.Accordingtothecalculatedresults,theuniforrni-
变化，产生双折射It，若外加电场沿折射率椭球的
tyofelectricfielddistributioncanbeimprovedandthecen-
trahzationeffectcanbereducedbymeansofthecombination (100)方向，而人射光的方向是(011)，则出射的两束
ofdifferentcrystalshapeswithdifferentshapesofelectrodes. 线偏振光的相位差为:
Sothewithstandvoltageandthestabilityandtheaccuracyof 27rl ‘ m ，_ l，_U
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