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第八章晶体结构与晶体材料(王荣顺 版)
* §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 (2)AB型(ZnS型) (3)AB2型 * §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 3、共价半径 晶体中原子的共价半径: AB键长=原子A共价半径+原子B共价半径 二、分子型晶体的结构 1、惰性元素晶体与分子间作用力 (1)分子间作用力 ①静电力 偶极子-偶极子之间的作用力 ②诱导力 偶极子-诱导偶极子之间的作用力 ③色散力 诱导偶极子-诱导偶极子之间的作用力 (2)惰性元素晶体 * §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 (1)共价分子晶体 2、共价分子晶体和原子的范德华半径 晶体中结构基元为分子,分子间以范德华力相互作用,但分子内以共价键结合。 (2)范德华半径 CO2晶体 * §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 3、氢键和氢键型晶体 (1)氢键 (2)氢键型晶体 三、混合键型晶体的结构 1.混合键型晶体 内部结构含有两种以上键型的晶体—混合键晶体 属于这类晶体的还有:CaI2, CdI2,Ca(OH)2等。 * §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 四、共价型、分子型及混合型晶体材料举例 1、荧光材料—掺杂ZnS晶体 2、三维超导材料—K3C60 晶体 3、由氢键形成的铁电材料 4、石墨层间化合物及其超导特性 五、 液晶 1、 液晶概述 液晶是介于晶体和液体之间的一种物质状态。 (2)液晶简史 (1) 液晶 * §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 2、液晶的分类 (1)热致液晶 (2)溶致液晶 3、 液晶的特性及其应用 (1) 液晶的各向异性 (2)电光效应—液晶显示器件 * 化学组成比 n+/n-=1:1 下面以NaCl型晶体为例,对离子堆积描述的术语给出图解: A: 8 × 1/8 +6 × 1 /2 = 4 B: 1 +12 × 1/4 = 4 n+/n-=1 : 1 负离子(如绿球)呈立方面心堆积,相当于金属单质的A1型。 负离子堆积方式:立方面心堆积 CN+=6 CN-=6 正负离子配位数之比 CN+/CN- =6:6 正八面体空隙 (CN+=6) 正离子所占空隙种类: 正八面体 浅蓝色球代表的负离子(它们与绿色球是相同的负离子)围成正四面体空隙, 但正离子并不去占据: 仔细观察一下:是否有被占据的正四面体空隙? 没有! 正离子所占空隙分数 浅蓝色球代表的负离子(它们与绿色球是相同的负离子)围成正八面体空隙, 全部被正离子占据. 所以, 正离子所占空隙分数为1(尽管还有两倍的正四面体空隙未被占据, 但正离子所占空隙分数不是1/3). 仔细观察一下:是否还有未被占据的正八面体空隙? 没有! 分数坐标描述 A: 0 0 0 B: 1/2 1/2 1/2 正离子所占空隙分数 1 结构型式 化学组成比 n+/n- 负离子堆积方式 正负离子配位数比CN+/CN- 正离子所占空隙种类 CsCl型 1:1 简单立方堆积 8:8 立方体 离 子 堆 积 描 述 CsCl型晶体结构的两种描述 ZnS型晶体结构 在0.225 ? r+/r- 0.414时, 四配位的化合物MX可能具有ZnS型晶体结构. 其中又包括立方ZnS型和六方ZnS型. 通常, 硫化物倾向于立方, 氧化物倾向于六方. 这是非常重要的两种晶体结构. 已投入使用的半导体除Si、Ge单晶为金刚石型结构外,III-V族和II-VI族的半导体晶体都是ZnS型,且以立方ZnS型为主. 例如: GaP, GaAs, GaSb InP, InAs, InSb CdS, CdTe HgTe 分数坐标描述 A: 0 0 0 0 1/2 1/2 1/2 0 1/2 1/2 1/2 0 B: 1/4 1/4 3/4 1/4 3/4 1/4 3/4 1/4 1/4 3/4 3/4 3/4 结构型式 化学组成比 n+/n- 负离子堆积方式 正负离子配位数比CN+/CN- 正离子所
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