N空位、Ga空位对GaN∶Mn体系电磁性质和光学性质影响的第一性原理研究.pdfVIP

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2017-05-22 发布于北京
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N空位、Ga空位对GaN∶Mn体系电磁性质和光学性质影响的第一性原理研究.pdf

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: 、蒋联娇等空位空位对体系电磁性质和光学性质影响的第一性原理研究 N Ga GaN∶Mn １２１３９文章编号: ( ) １００１９７３１２０１６１２１２１３９０８ N 空位、空位对体系电磁性质和 Ga GaN∶Mn 光学性质影响的第一性原理研究∗ , , , 蒋联娇符斯列秦盈星李健翔 ( , , ) 华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室广州５１０００６ : 、摘要基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法分别计算了和 V 距掺入 Mn 原子为近邻次 VGa N 、 , 近邻远近邻各种情况下３ GaN 体系的电子结构和光学性质分析比较了空位的不同位置对 Mn掺杂 GaN 体系 . , ; 的存在会增强磁性的影响计算结果表明 Mn掺杂会导致 GaN 体系带隙增大且体系表现为半金属铁磁性 VN , , ; 的存在会降低缺陷复合物缺陷复合物体系的铁磁性且随着 VN 相对杂质 Mn距离越近体系总磁矩增加而VGa , , . 体系的铁磁性且随空位相对杂质距离越近体系总磁矩减少不同位置的和均会导致缺陷复合 Ga Mn VGa VN , . 物体系主吸收峰和光吸收边相对于单Mn掺杂而言向低能方向移动出现红移现象关键词: 晶体; ; ; ; GaN Mn掺杂空位电子结构光学性质中图分类号: ; 文献标识码: : / O４７２ O４８２．５４ A DOI １０．３９６９．issn．１００１９７３１．２０１６．１２．０２３j [２ , ( ) 、实验方面目前已采用化学气相沉积 CVD 金属引言０ [３ ( ) 、