金氧半场效电晶体之直流与高频模型-Keysight.PDF

金氧半場效電晶體之直流與高頻模型 作者：安捷倫科技股份有限公司 EEsof EDA 應用工程師　許仲延 Jackson Hsu E-mail：jackson-hsu@ 一、簡　介 隨著先進製程之蓬勃發展，金氧半場效應電晶體的尺寸已縮小至奈米級 (nano- meter;10-9m) ，並可以有較低的生產成本及允許將數位和類比電路整合於同一基板的優 點，這使得互補式金氧半場效應電晶體 (CMOS) 更具吸引力。由於電晶體閘極長度的持 續縮減使得其高頻特性獲得大幅改善，因此 CMOS 技術已廣泛的被認同並使用於無線收 發電路。為了達到這些目標，一個準確的元件模型以及詳細的元件特性分析對電路設計 者而言是非常重要的。本文將介紹 CMOS 的物理結構/工作原理，以及如何利用 Agilent IC-CAP 建立自己的元件模型，由於適用於 CMOS 的 BSIM3/4 模型相當地複雜，因此如 何以簡單的元件模型來描述 DC 與 RF 的電氣特性，並驗證其模型的準確性，這對電路設 計者而言確有其必要性。此處我們將會提出以小訊號等效電路模型的方式來描述元件 DC 與 RF 的特性，並以數學數值的方式來萃取小訊號模型裡的參數，再將元件模型帶入電路 之中，並以 Agilent ADS 來模擬元件高功率的電氣特性，再與實際的量測結果做比較，如 此便可快速地建立準確的模型以提供電路設計者使用。 二、電晶體動作原理和物理 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 主要是以 結構 Si/SiO2 當作接面，並於閘極 (Gate) 端外加不同的直流偏壓以調變電晶體的通道，一旦形 成通道後便可以使得電流可以從汲極 (Drain) 經過通道抵達源極(Source) 。MOSFETs 具有 兩種形式的通道結構：n 通道以及 p 通道，其物理結構示意圖分別表示於圖 1(a)/(b) 。 (b) P-channel MOSFET (a) N-channel MOSFET 圖 1 MOSFETs 物理結構圖 組成 N-channel MOFET 的 P-type 矽底基質通常稱作基板 (Bulk) ，基板位於元件的底 部並可以外加固定的電壓，位於元件上方表面介於汲極以及源極之間稱作閘氧化層，通 常利用 n+-type 多晶矽或是金屬當作閘極材料。而汲極/源極的產生方式主要是利用高濃度 的 n+ +