针对消费电子和家用电器的新高压半桥驱动器芯片概念摘要1.简介2.技术.PDF

PCIM Europe 2013, 14 – 16 May 2013, Nuremberg 针对消费电子和家用电器的新高压半桥驱动器芯片概念 Wolfgang Frank*, Viktor.Boguszewicz, Rolf.Buckhorst, *Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Germany, wolfgang.frank@ 摘要 消费电子应用、数据处理和家用电器不断寻求更高的应用效率和更小的外形尺寸。本文说明了 满足上述需求的新系列半桥栅极驱动芯片。另外，针对输出电流超过 2A 并集成自举功能的驱 动器芯片首次面世。高压栅极驱动芯片系列包含两种电流等级，输出电流分别为 0.5A 和 2.3A 。本文将就温度和IC 电源说明自举功能工作范围和属性。 1. 简介 到目前为止，只有很少一部分半桥驱动器芯片（[1]、[2]）提供用于高边电源的集成自举功能。 原因在于占空比较低时电压下降非常高并且开关频率较高时芯片中存在额外的高功耗。因此， 这些器件仅限用于消费类驱动应用。这些类型的驱动器芯片覆盖了阻断电压600 V 的市场，即 小功率驱动市场。不具有集成自举二极管的其他半桥驱动器芯片（例如，[3]和[4]覆盖了低端开 关电源(SMPS)应用。由于没有集成到芯片中的自举功能，因此这些产品的功耗较低，从而温 升情况稍好。 但是，功能强大的集成自举功能的优势显而易见：布线更简单、PCB 更小并且元器件与功率晶 体管的栅极端子的距离可以更贴近。另外，此功能不仅可以保持较低的 EMI，而且优化了开关 性能，从而降低了开关损耗。本文提出了关于半桥栅极驱动芯片的新概念，此概念完全符合消 费电子设备和家用电器驱动系统的设计注意事项。 新的半桥驱动器芯片设计涵盖了小功率驱动设计中的所有重要趋势，例如易于使用、在具备许 多功能的同时使用的分立元器件更少。 2. 技术 Gate Source Poly-Si Drain Oxide Doping LOCOS Doping-well Doping-well Buried Oxide Silicon Substrate 图1. 绝缘体上硅晶体管 ISBN 978-3-8007-3505-1 © VDE VERLAG GMBH · Berlin · Offenbach 1268 PCIM Europe 2013, 14 – 16 May 2013, Nuremberg 薄膜 SOI （绝缘体上硅）技术是一种先进的MOS/CMOS 制造工艺。基于传统的体硅工艺， SOI 技术在有源器件层下使用称为隐埋氧化物的绝缘体，如图1所示。 硅薄膜内元件的横向绝缘通过简单的局部氧化(LOCOS)工艺实现。通过此方式，所有有源器件 区域都相互完全绝缘。因此无需使用CMOS 阱来预防“闩锁”效应。另外，显著减少了漏电流和 结电容。硅薄膜内的小尺寸PN 结可实现更高的开关速度。 表1: 薄膜SOI工艺的器件和特性 元件 特性 CMOS 模拟晶体管 30 V / 12 V / 5 V CMOS 数字晶体管 5 V SOI-PIN-二极管 30 V 齐纳二极管 5.2 V 电阻 18.5 Ω/平方– 7.5 kΩ /平方 电容 0.84 fF/µm² 高压自举SOI-二极管