CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计.pdf

MicroelectronicTechnology CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计 刘 超 ，李 强 ，熊永忠 (1．电子科技大学 微 电子与固体 电子学院 ，四川 成都 610054；2．中国工程物理研究院 太赫兹中心 ，四川I成都 611731) 摘 要 ：提 出了应用 0．13 m CMOS工艺设计 的具有高隔离度 的Ka波段单刀双掷 (SinglePoleDoubleThrow，SPDT) 开关 。测试 结果显示 ，在 Ka波段此单片开关插损为 2．7～3．7dB，在 35GHz时测得 的输入 ldB压缩 点 (P一1dB)为 8 dBm。通过使用并联 NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高 Q值 的匹配 网络 ，测得 的开关在 30-45GHz有33-51dB的 隔离度 。此 Ka波段单刀双掷开关芯片的核心面积 (die)仅仅为 160x180 m 。 关键词 ：Ka波段 ；单刀双掷开关 ；高隔离度 ；CMOS；T／R开关 中图分类号 ：TN432 文献标识码 ：A DOl：10．16157／j．issn．0258-7998．2016．04．012 中文引用格式 ：刘 超 ，李 强 ，熊永 忠 ．CMOS单 片高 隔离度 Ka波 段单 刀双 掷开 关 的设计 【J】．电子 技术 应 用 ，2016，42 (4)：43—45，52． 英文 引用格 式 ：LiuChao，LiQiang，XiongYongzhong．CMOSmonolithicKa-bandSPDT switch designwith high isolation[J】． ApplicationofElectronicTechnique，2016，42(4)：43—45，52． CMOSmonolithicKa-bandSPDT switchdesignwithhigh isolation LiuChao一，LiQiang，XiongYongzhong (1．SchoolofMieroelectronicsandSolid-stateElectronics，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina Chengdu 610054，China； 2．TerahertzResearchCenter，ChinaAcademyofEngineeringPhysics，Chengdu611731，China) Abstract：ThispaperpresentsaKa-bandhighisolationSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchusing0．13txm CMOSprocess．The switchhasameasuredinsertionlossof2．7—3．7dBandaninput1dBcompressionpower(P1dB)of8dBm at35GHz．Viausingthe shuntNMOS topology and high quality factormatch networks，33-51dB measured isolation isobtainedwithin the~equencyrange of30-45GHz．The switch core occupiesonly 160x180Ixm chip area． Keywords：Ka-band；SPDT；high isolation；CMOS；T／R switch 0 引 言 计 ，本文设计 的开关可 以保证插入损耗在可 以接受 的条 如今单片集成 电路在微 电子领域是非常热 门的研 件下 同时获得非常高的隔离度 。 究方 向，在通信系统 中，开关作为重要 的组件 电路控制 1CMOS工艺 着信号的流动方 向。单刀双掷 (SinglePoleDoubleThrow， 本开关是基于 0．13txm CMOS设计 的 ，工艺 中共有 SPDT)开关尤其重要 ，它广泛地应用在 T／R组件 、移相