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维普资讯 第 【期 无 机 化 学 学 报 V 18．No 2002年 1月 CH[NESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY Jan，2002 电化学 “沾笔”纳米刻蚀及其他 李 彦 MaynorBen 刘 杰 (杜克大学化学系，27708，美国) 车文提出了一种基于 “沾笔”纳米刻蚀和电化学还原技术在表面上制备金属及半导体纳米结构的普适性方法。用这种方法 口n 在硅表面直接书写线宽度慨于50纳米的多种金属和半导体组成 的纳米结掏。这种简单而有效的方法在精确控制 置和 结掏的功能化纳米器件制备 中具有重要 的潜在应用前景 。 关键 词 “沾笔”纳米刻蚀 电化学 AFM 纳米结构 分类号 0646 ElectrochemicalAFM “Dip-Pen”NanolithographyandM ore LIYan MaynorBen LIUJie ChemistryDepartment．DukeUniversity,Durham,NC27708，USA) A neralapproachforfabricatingmetallicandsemiconductingnanostructureshasbeen developedbasedon “dip—pen”nanolithographycombinedwithelectrochemicalreductionofwater—solublesalts．Thismethodcanbeused todirectlywritemanydifferenttypesofmetalorsemiconductorfeatures0n Sisubstrateswithsub 5Onanonmter linewidth．Thissimplebutpowerfulmethodhasgreatpotentialinfabricatingfunctionalnanodeviceswith highde greeofcontrolo,rertheirlocationsandstructures． Keyworks： dip-penlithography electrochemical AFM nanopatterns Fabricationofnanostructureswith controlledge— self-assembled monolayer， electric field induced ometryatspecificlocationsisoneofthekeychallenges chenficalreactionandelectrochemicalreaction in SO— innanotechnology．Greatefforthasbeenputin dis— lutionusingprotectedSPbltipshavebeendevelopedin covering new waystosolvethisproblem．Many tech— thelastdecade．Morerecently．a “dip—pen”lithogra— niques，includingelectronbeam lithography，Scanning phymethodhasbeenreposedthatusesanAFM tipas