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* 放大器噪声 与温度有关 (K 为玻尔兹曼常数) 实际 R 无噪 R 或 无噪 R 电阻热噪声： 噪声 (功率) 谱密度：电阻 R 在单位频带内产生热噪声电压方均值。 S ( f ) 在很宽频域内为恒值 (均匀分布) ----- 白噪声。 故 频带内电阻热噪声电压均方值为： 设某系统电压传递函数为 复功率： 表现功率： 则功率传函： 噪声带宽 噪声带宽 按功率等效（即几何面积相等）定义： [例] 求输出端 、 、 R C a b 无噪 R C [方法一] [方法二] 注：半功率点带宽 对于高阶电路，噪声带宽与半功率点带宽几乎相同！ 电抗元件不消耗功率，亦不产生热噪。 二极管噪声 热噪声：结电阻，引线电阻产生，取决于环境温度 散粒噪声：取决于工作电流 噪声 (功率) 谱密度：正向平均电流 ID 流过二极管时产生散粒噪声电流方均值为： 频带内散粒噪声电流均方值： 二极管噪声 ID 双极型晶体管噪声 1、电阻热噪声，其中 热噪声影响最大： 2、散粒噪声： 正向 E 结噪声： 反向 C 结噪声： 3、分配噪声：由基区内载流子复合的随机性引起，有色噪声。 噪声电流功率密度： 其中： 4、 噪声（闪烁噪声）：低频段较显著，与半导体材料有关，有色噪声。 总结： 中频段：热噪声 + 散粒噪声 = 白噪声 低频段：叠加 噪声 高频段：叠加分配噪声 S ( f ) 3dB/10倍频 6dB/10倍频 白噪声 1KHz f CB 噪声模型 CB 噪声微变等效电路（没考虑 噪声）： e c b b’ 场效应管噪声 1、沟道噪声：由沟道电阻产生的热噪声。 结型： MOS： 短沟道 长沟道 ? 2 ~ 3（一般取2.5） 1（恒流区)、 （可变电阻区） 2、 噪声：主要影响 f 1KHz 的低频段，即闪烁噪声。 注：白噪声功率谱分布均匀，用 表示， 有色噪声功率谱分布不均匀，用 表示。 MOS 噪 沟道 [例] MOS 场效应管噪声计算 在 频带内，求输出噪声电压均方值 噪声模型： （ 有色噪） 噪声指数 ： 1、在 标准信号源 作用下，网络噪声系数： 无噪声理想网络的输入、输出信噪比相等， 有噪网络使输出信噪比? ? 2、噪声指数 理想网络 NF = 0 dB 有噪网络 NF 0 dB 3、标准信号源：仅含有 产生的白噪声 *
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