2012半导体物理8异质结-2014-05-28.pptVIP

半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 第8章 半导体异质结构 本章重点 概念 同质结和异质结 异质结的能带图 异质结的接触电势差、势垒宽度和电容 半导体量子阱及其电子能态 半导体超晶格和异质结激光器 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 半导体异质结的概念、分类和标记 pn结：由导电类型相反的同一种半导体单晶材料组成的结—同质结。 异质结：由两种不同半导体单晶材料组成的结。 根据组成异质结的两种半导体单晶材料的导电类型，异质结可以分为反型异质结和同型异质结。 反型异质结：p-n-Ge-GaAs或(p)Ge-(n)GaAs。 同型异质结：n-n-Ge-GaAs或(n)Ge-(n)GaAs。 在标记中通常把窄（宽）禁带半导体写在左（右）边。 异质结也可以分为突变异质结和缓变异质结。 突变异质结：从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡发生在几个原子间距的范围内。 缓变异质结：从一种半导体材料向另一种半导体材料的过渡发生在几个扩散长度的范围内。 2000年诺贝尔物理学奖 俄罗斯艾尔菲物理技术学院的阿法洛夫 (Z. I. Alferov)、 美国加州圣塔巴巴拉大学的克洛姆 (H. Kroemer)、 以及美国德州仪器公司的基尔比 (J. S. Kilby)。 得奖理由：研究成果奠定了现代信息科技的基石， 尤其是有关于快速晶体管、激光二极管和集成电路的发明。 pn结的能带图 半导体物理学 第7章 金属和半导体的接触 SCNU 光电学院 * 形成异质结时电子从n型半导体流向p型半导体，空穴的流动方向相反。 达到平衡时，两块半导体具有统一的费米能级。 在异质结界面的两边形成空间电荷区，产生内建电场和附加电势能，使空间电荷区中的能带发生弯曲。 qVD = qVD1 + qVD2 = EF2 - EF1 = W1 - W2 突变反型异质结的能带图 突变反型异质结的能带特征 n型半导体的能带弯曲量为qV2，且导带底在交界面处形成一个向上的“尖峰”。 p型半导体的能带弯曲量为qV1，且导带底在交界面处形成一个向上下的“凹口”。 能带在交界面处不连续，存在一个突变。 导带底在交界面处的突变：?EC = ?1 - ?2。 价带在交界面处的突变：?EV = (Eg2 - Eg1) - (?1 - ?2)。 导带突变和价带突变满足关系：?EC + ?EV = ?Eg。 突变反型异质结的能带特征 p-n-Ge-GaAs：?EC = 0.07 eV, ?EV = 0.69 eV, 。 ?EC + ?EV = 0.76 eV = ?Eg = (1.42 - 0.67) eV。 突变同型异质结的能带特征 反型异质结：两边都形成耗尽层。 同型异质结：一边形成积累层，一边形成耗尽层。 突变反型异质结的接触电势差和势垒宽度 异质结两侧空间电荷区的宽度： 空间电荷区的宽度与掺杂浓度的关系： 空间电荷区的体电荷密度： 空间电荷区的面电荷密度： 空间电荷区的总宽度： 突变反型异质结的接触电势差和势垒宽度 泊松方程： 两边积分： 边界条件： 积分常数： 电场强度： 突变反型异质结的接触电势差和势垒宽度 两边积分： 积分常数： 两侧电势： 接触电势差： 突变反型异质结的接触电势差和势垒宽度 接触电势差在两侧的分配： 两侧宽度与总宽度的关系： 电势差与总宽度的关系： 总宽度与电势差的关系： 外加偏压的情况： 突变反型异质结的接触电势差和势垒宽度 面电荷密度与总宽度的关系： 面电荷密度与电势差的关系： 异质结单位面积的势垒电容： 异质结的势垒电容： 界面量子阱中二维电子气的形成及其电子能态 波函数满足的薛定谔方程： 波函数分离变量： 波函数分离变量： 面内波函数： 电子能量： 界面量子阱中二维电子气的势阱和状态密度 二维电子气的状态密度 电子的能量： k空间原胞的面积： k空间k-k+dk圆环的面积： E-k关系： 状态密度： E E E D(E) D(E) D(E) Modification of density of states by confining carriers Bulk QW QD 3D 2D 0D D(E) E D(E) E E D(E) 低维半导体材料及其状态密度 双异质结间的单量子阱结构 双异质结间的单量子阱结构 势阱形状