功率MOSFET的研究与新发展-涨波.PDF

功率 的研究与新发展 功率的研究与新发展 功率的研究与新发展 功率 的研究与新发展 功率的研究与新发展 功率 的研究与新发展 功率的研究与新发展 功率的研究与新发展 功率 的研究与新发展 功率的研究与新发展 功率 的研究与新发展 功率 的研究与新发展 功率的研究与新发展 张波 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 元尺寸功率和槽栅功率也称为 引言 或 或 或 等 已 从 年美国公司推出 市场化 公司生产的第八代 元 以来功率得到快速发 胞密度为每平方英寸 亿个元胞且 器 展已成为中小功率应用领域的主流功率半导体开 件的最高工作温度已提升到 关器件 功率 一直沿着结构优化创新 在低压低功耗功率 领域槽栅功率 结构和宽禁带半导体材料三个方向发展将器件性 得到迅速发展图是槽栅功率 能推向更高电压应用范围更低导通损耗更高工作 结构示意图和其导通电阻表达式由于槽栅功率 频率和更高可靠工作 结构中没有传统 器件所固有的 电阻使得槽栅功率的元胞密度可以 结构优化 随着加工工艺特征尺寸的降低而迅速提高美国 是第一个商业化的功率为改 公司采用 工艺生产的槽栅功率 善型槽顶端的电场尖峰和电流集中效应研究人 其元胞密度高达每平方英寸 个元胞为 员又发明了 但 进一步提高槽栅功率性能研究者还提出 和 均是利用各向异性原理湿法腐 了包括槽底部厚栅氧 结构 蚀形成沟槽结构工艺稳定性不佳 因此当平面型 窄槽结构