半导体的PN结.PDF

第五章 半导体PN结 第五章 半导体PN结 前几章我们讨论了半导体及其载流子遵循的基本物理规律，如半导体材料 结构和基本性质、半导体的能带结构和载流子、载流子的分布规律、载流 子的输运或运动规律。后面几章将讨论在半导体的基本器件结构中，载流 子的输运和运动规律。 据统计：半导体器件主要有67种，还有110个相关的变种 所有这些器件都是由少数的基本模块构成： •pn结 Source Gate Drain + + + + N （P ） N （P ） •金属－半导体接触 - - P （N ） • MOS结构 Source Gate Drain • 异质结 + + + + N (P ) － － N (P ) • 超晶格 N (P ) 北京大学 微电子学研究所 北京大学 微电子学研究所 北京大学 微电子学研究所 §5.1 平衡PN结 §5.1 平衡PN结 PN结的形成和平衡能带图及自建势 PN结的形成和平衡能带图及自建势 空间电荷区和耗尽近似 空间电荷区和耗尽近似 泊松方程和电势、电场分布 泊松方程和电势、电场分布 §5.2 偏置PN结及其IV特性 §5.2 偏置PN结及其IV特性 偏置PN结能带图和准费米能级 偏置PN结能带图和准费米能级 偏置PN结的载流子分布和电流输运 偏置PN结的载流子分布和电流输运 偏置PN结的瞬态特性 偏置PN结的瞬态特性 §5.3 PN结电容 §5.3 PN结电容 耗尽电容 耗尽电容 扩散电容 扩散电容 §5.4 PN结的击穿 §5.4 PN结的击穿 雪崩击穿 雪崩击穿 齐纳击穿 齐纳击穿 北京大学 微电子学研究所 北京大学 微电子学研究所 北京大学 微电子学研究所 §5.1 平衡PN结 §5.1 平衡PN结 所谓PN结是P和N型半导体接触形成的基本结构 5.1.1 PN结的形成 实际的PN结是利用掺杂的补偿效应 (Compensated) 形成的 1. 扩散 2. 注入 北京大学 微电子学研究所 北京大学 微电子学研究所