前沿简讯-激光世界.PDF

前沿简讯Leading Edge Snapshots 基于GaN的倒装式LED具有73％的插墙效率 人们研究能实现蓝光 氧化物LED 和倒装芯片式LED 作为附加导体。然而，银 Power (mW) Voltage (V) 发射的基于氮化镓（GaN ） 镜或导电氧化物吸收光，这降低了总体效率。 4 70 的LED 已经有多年之久， 60 在加利福尼亚大学圣巴巴拉分校的一个研究小组（其 3 50 这种LED 是广泛用于照 Intensity (a.u.) 中包括作为GaN 基LED 的发明人之一的中村修二），正 40 1.0 2 明的白光LED 的基础， 30 0.5 在将高质量低压降GaN 隧道结引入GaN 基LED 中，而 20 0.0 1 400 500 能够产生更高的每瓦亮度 10 Wavelength (nm) 不是导电反射镜或氧化物中，以防止电流扩散，并且不增 0 0 （流明），并且还具有更高 0 10 20 30 40 加光学吸收。 Current (mA) 的插墙效率（光输入功率 研究人员创建了非倒装芯片和倒装芯片两个版本，后 Flip-chip / 电输入功率）。 Power (mW) Voltage (V) 者包括高光提取多层电介质镜，其在LED 的450nm 工作 p-GaN 是一种用于制 150 5 波长下，将引线键合焊盘的反射率增加到大于98％。非 造高效GaN 基LED 的材 100 4 倒装芯片器件的外部量子效率（EQE ）和插墙效率（WPE ） 3 Intensity (a.u.) 料，由于这种材料具有较 1.0 2 分别为78 ％和72 ％，倒装芯片LED 的分别为76 ％和 50 0.5 差的导电性，并导致电流 0.0 1 73％。 400 500 扩散，因此研究人员开发 0 Wavelength (nm) 0 参考文献 0 10 20 30 40 出了具有银镜的透明导