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套刻偏差对4H-SiC浮动结结势肖特基二管的影研究
Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 8 (2012) 088501
4H-SiC
*
†
( , , 710071 )
( 2011 7 30 ; 2011 9 14 )
4H-SiC
. p+ p+ . ISE
, , .
, 2 V , .
: , ,
PACS: 85.30.Kk, 71.20.Nr, 85.30.De
1 4H-SiC JBS
.
SiC ,
. SiC
(JBS) 2
[1,2] ,
1 , x
, . PIN
. JBS .
, ,
: p+
. JBS PIN ,
1 × 1018 cm−3 , 0.8 µm, p+
[3]. 6 µm; p+
1 × 1018 cm−3 , 0.8 µm,
SiC JBS
6 µm, ;
.
40 µm ( 19 µm,
, 15 −3
. p+ 21 µm), 5 × 10 cm ;
20 µm, 1 × 1019 cm−3 .
1.25 eV,
. , SiC
[4], .
p+ [5]. αn αp
E
. JBS
p+ p+ αn = an exp ( − bn ),
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