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新型槽栅犕犗犁犉犈犜狊的特性
第 卷 第 期 半 导 体 学 报
27 11 犞狅犾.27 犖狅.11
年 月 ,
2006 11 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犖狅狏.2006
新型槽栅犕犗犛犉犈犜狊的特性
曹艳荣 马晓华 郝 跃 于 磊
(西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071)
摘要:采用 犛犐犞犃犔犆犗软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及
热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因 对自对准工艺下成功投片所得沟道长
.
度为 140狀犿的槽栅器件进行测量,结果有力地证明了槽栅器件较平面器件的优越性.
关键词:自对准;槽栅器件;短沟道效应;热载流子效应;拐角效应
: ;
犈犈犃犆犆 0170犖 2560犚
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
犜犖3861 犃 02534177200611199406
步的分析研究,并对实际投片得到的器件进行了测
1 引言 量.
2 槽栅工艺
随着集成电路的迅速发展, 的尺寸不
犕犗犛犉犈犜
断减小 在 器件结构尺寸等比缩小的同时,器
. 犕犗犛
制备槽栅器件的难点在于如何形成凹入的槽,
件工作电压未能随之等比减小 进入深亚微米,传统
.
[]
6
并形成质量良好的薄氧化层 最关键的是不应引
的平面器件遇到了各种小尺寸效应和可靠性问题, .
入太多附加工艺,尽量减少工艺复杂度和降低成本.
一些影响器件特性的效应如 犛犆犎(短沟效应)、
在仿真基础上,我们提出了槽栅自对准工艺 在此工
(漏致势垒降低效应)、 (热载流子效应)、 .
犇犐犅犔 犎犆犈
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