新型隐埋SiSiO_2做底镜的共振腔型探测器的理论分析.pdf

　第 20 卷第 7 期 半　导　体　学　报 . 20, . 7 V o l N o 　1999 年 7 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S July, 1999 新型隐埋 2 做底镜的共振腔型 Si SiO 探测器的理论分析 李　成　杨沁清　王启明 (集成光电子国家重点联合实验室 中国科学院半导体研究所　北京　100083) 摘要　本文提出一种新型隐埋 反射器结构的 基共振腔型光电探测器, 该结构 Si SiO 2 B ragg Si 具有与集成电路相兼容的特点. 理论计算表明量子效率较普通光电探测器提高了 3～ 4 倍. PACC: 0762, 4200, 7755 1　引言 目前光纤通讯用的光波波长为 13～ 155m , 这是光纤材料——石英的最低损耗窗 口. 为了实现光纤通讯元器件的硅化, 采用 多量子阱材料来制备对 13 波长的 SiGe Si m [ 1, 2 ] 硅基探测器早已有报道 . SiGe 材料是间接带隙材料, 对 13m 波长的光的吸收系数很 低, 导致这种探测器的量子效率很低. 为了提高量子效率, 有人提出用 的多层结构 SiO 2 Si [ 3, 4 ] 来制备B ragg 谐振腔 . 但是在 SiO 2 衬底生长的 Si 或 SiGe 是一种非晶材料, 经过合理的 热处理后可获得多晶, 它们并不适合于制备器件. 然而, 已有报道在SiO 2 表面可以用某种特 [ 5 ] ( 殊的方法生长 Si 的单晶制备出了M O S 晶体管 . 如果在图形化的B ragg 反射结构上 本文 ) 称为隐埋 共振结构 能生长出质量良好的 材料的话, 就可实现带 B ragg SiGe Si M QW 谐振腔的 探测器件的制作. 本文报道的是假定用这种材料制备的 SiO 2 Si SiGe SiM QW SiGe P IN 光电探测器的量子效率等参数的理论计算结果. 2　隐埋 Bragg 反射器结构的说明 通常用 材料制备 反射层时, 为使它对 13 的波长有足够的反射率, SiO 2 Si