高迁移率聚合物半导体材料最新进展.pdfVIP

DOI: 10.6023/cjoc201511026 综述与进展 有机化学 Chinese Journal of Organic Chemistry REVIEW 高迁移率聚合物半导体材料最新进展 陈华杰* (环境友好化学与应用教育部重点实验室 特种高分子材料湖南省重点实验室 湘潭大学化学学院 湘潭 411105) 摘要 自 20 世纪 80 年代以来, 聚合物半导体材料及其薄膜场效应晶体管器件(OFETs) 已取得系列突破性进展. 目前, 已有数百种聚合物半导体材料被成功应用于 OFETs 中, 空穴迁移率值最高已达 36.3 cm2•V－1•s－1, 可与有机小分子半 导体材料甚至可同无定形硅相媲美. 综述了近年来国内外高迁移率聚合物半导体的最新进展. 分类对比总结和评述了 空穴传输型(p -型) 、电子传输型(n-型)和双极传输型聚合物半导体材料, 并对聚合物半导体材料分子设计思路、薄膜 OFETs 器件制备及其性能参数进行了重点阐述. 同时, 总结了聚合物半导体材料的分子结构、聚集态结构与 OFETs 器 件性能之间的内在关系, 为今后设计与合成综合性能优异的聚合物半导体材料提供一定理论指导. 关键词 有机场效应晶体管; 聚合物半导体材料; 高迁移率; 空气稳定 Recent Advances in High-Mobility Polymeric Semiconductor Materials Chen, Huajie* (Key Laboratory of Environmentally Friendly Chemistry and Applications of Ministry of Education, Key Laboratory of Ad- vanced Functional Polymeric Materials of College of Hunan Province, College of Chemistry, Xiangtan University , Xiangtan 411105) Abstract Significant progress has been made in polymeric semiconductors and their organic field-effect transistors (OFETs) since 1980s. To date, hundreds of polymeric semiconductors have been reported and used for OFETs. The hole mobility above 2 －1 －1 36.3 cm •V •s has been achieved, which can be competitive with organic small semiconductors and even amorphous sili- con. In