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第一名-材料工程系-明志科技大学
材 料 工 程 系 專 題 製 作 成 果 報 告
高 垂直磁異向性之單層FePt合金薄膜製作與磁
題目 :
性質研究
學生 張哲良、張剛樺:
指導教授 :陳勝吉
畢業級別 :四技部2009 級
相較於水平記錄而言,垂直記錄薄膜的磁化過渡區長度較狹窄,差不多只有 一個柱狀物的直徑而已,因此相鄰記錄位元的距離可以縮的
簡 2
很短,容易達到高記錄密度。因此採用垂直磁記錄技術被預期可將記錄密度提高至每平方英吋兆位元(1 Tb/in ) 以上。
本研究於室溫下以DC 直流磁控共鍍5-50 nm厚之單層 FePt合金薄膜於 Si (100)基板上,初鍍FePt合金薄膜採用快速熱退火 (RTA)以100
℃/sec 之升溫速率加熱至 700 ℃持溫3 分鐘。研究結果顯示,FePt合金薄膜厚度在 30 nm 以上出現(111)從優取向 ,此時FePt 薄膜傾向水平磁
異向性;當 薄膜厚度降低至10 nm時, FePt合金薄膜之磁異向性會轉變為垂直膜面,其垂直方向頑磁力 (Hc⊥)為 12.7 kOe ,垂直方向角形比(S⊥)
介 為 0.72 ,飽和磁化量 (Ms)為427 emu/cm3 ,且獲得 9.7 nm 之晶粒尺寸及孤立不連通的磁區結構,這些性質使 FePt
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