二氟化氙释放牺牲层多晶硅刻蚀速率研究.pdfVIP

Vo l. 38 NO.6 第38苍第6 期 lli 也与声光 2016年12 月 PIEZOELECTRICS . ACOUSTOOPTICS Dec. 2016 文章编号: 1004-2474 (2016 )06-0926-03 二氟化氨释放牺牲层多晶硅刻蚀速率研究 司美菊 ， 杜波，田本朗 ， 徐 阳，金成飞，蒋欣， 江洪敏，马晋款 (中网电子科技集团公司第二十六研究所. 11(庆 400060) 摘 要:该文研究了相关工艺参敛对二氟化缸(XeF% )干法释放多品硅的将放速率的影响. 纺果表明. 对于薄 膜体声波谐振黯(FBAR)悬怦纺构. ß空室压力不变B.t. 随.lf载气风流量的地大，刻蚀速率先增加后减少.~Jt虫速率 最大值为 10.3μm/min; 载气风流J.t 不变时.腔室压力越大. 工艺腔室参与刻蚀反应的 XeF 气体的浓度精大.主J t 蚀速率越大.当胶室压力超过 1 200 Pa 时.随着自空空服力的增加， 主.J 蚀j率率的增长率逐渐减小. 关键词:空气隙;于法衷J 位k; 刻蚀速率;粗糙度;支烨l二 中图分类号:TN65 文献标i只码:A Study on Poly-Si Etch Rate About Sacrificial Layer Release With XeF2 SI Meiju. DU Bo , TIAN Benlang , XU Yang , JIN Chengfei , JIANG Xin , JIANG Hongming , MA Jinyi (26th Institutc of China Electronics Tcchnology Group Corporation. Chongq ing 400060 . China) Abstract : The effect of the process parameters on the rclease rate through thc XeFt etching to release the pol y-Si is studied in this papcr. The results show that for the cantilevcr structure the ctch ratc increases first and then reduces with the increase of thc carrier gas Nz f1 0w in the stable chamber pressure , the maximum etch rate is 10.3 /lm/ min. When the carrier gas N% f1 0w is the ∞nstant. thc greater the chambcr pressure value. the concentration of taking part in the etch reac- tion in procc阳 chambcr is incrcased . the faster the etch ratc. Whilc the chambcr pressurc is greater than I 200 Pa. the per- centage increasc for etch rate decreases with the increasing of