固体光谱学 第三章 带间跃迁的吸收与发射光谱.pptVIP

如图3.12所示，激发到导带中的电子，首先驰豫到导带 底部，又可能进一步吸收红外光，在导带内部发生跃迁，这 叫做自由载流子的吸收。自由载流子吸收的特征为 (3.58) 吸收光谱是波长 的连续谱，随 的增加，单调上升，无 精细结构。指数 的变化范围可以从1.5到3.5，与散射机制有 关。如采用Drude模型，用一个与频率无关的阻尼系数 来表 示某种散射作用，由第一章给出的介电函数虚部 可以得到吸收系数 (3.59) 由此得出结论：阻尼自由电子的吸收与阻尼系数 和自由电 子浓度 成正比，与波长 的平方成正比。 一般地，自由载流子的吸收可以表示为 (3.60) 表3.4给出杂质散射下自由载流子的吸收，其中散射截面 3.9.3 带内子能谷之间的跃迁 如图3.13所示，半导体的价带包括重空穴态、轻空穴态和自 旋一轨道分裂态。在重掺杂的情况下，电子可能发生如下的 跃迁过程： 因为 和 的斜率都 大于 当掺杂 增加时， 会向高能方向移动； 的吸收 又因为 的斜率小于 ，当 增加时， 的吸收 会移向低能边。P 型 Ge 的吸收光谱出现 0.3 和 0.4eV 的吸收， 分别属于 和 的跃迁，而在 0.06eV 附近的 宽吸收带，属于 的跃迁。 2．N型半导体带子能谷间的跃迁 对于 N 型重掺杂，导带内不同能谷之间可能发生跃迁。 其中又分为 K 相同子能谷之间的跃迁和 K不同子能谷之 间的跃迁。 的直接跃迁（见图3.14）。 3.10 导带与价带间复合发光 驰豫到导带底部的电子，可能与价带空穴复合，也可能 与晶格振动交换能量无辐射地驰豫到价带。前者叫做发光 （Luminescence），后者叫做热辐射(Temperature radiation)。 热辐射也可能出现可见光，但是发光与热辐射出来的光是性 质完全不同的两种地过程，发光是热辐射以外的辐射，有确 定的发光期间，也就是发光寿命 ，一般 秒，而反 射和散射的寿命 秒。用光激发产生的发光叫做光 致发光(Photoluminescence，简称PL)，用电场激发的发光叫做 电致发(Electroluminescence简称EL也叫做场致发光)，用电子 束激发的发光叫阴极射线发光(Chathodoluminescence,CL)还有 热释光(Thermoluminescence,TL)、摩擦发光（Triboluminescence） 和化不发光（Chemiluminescence）等。 3.10.1 发光与吸收之间的关系 类似于吸收过程的描述，对于发光过程可以定义一个辐射率L (3.61) 其中 为上能级被占据的电子态密度， 为下能级空穴态密度， 为单位体积辐射跃迁几率。 在平衡状态下，电子-空穴对的产生率（吸收）等于辐射复 合（发光）率。在频率 隔内的发射率也可以表示为 (3.62) 其中 为单位时间吸收能量为 光子的几率， 为在频率 间隔内频率为 的光子数。在折射率 与 无关的近的似下，可以得到 (3.63) 另一方面，吸收几率可以用固体中光子的平均寿命表示，即 吸收过程光子的平均寿命等于平均自由程 l 除以光子在固 体中速度? , 而 ，故 由此得 (3.64) 将式(3.63)和(3.64)代入式(3.62)得 (3.65) 其中利用了 的条件。由(3.65)式可见， 发射率正比于吸收系数，这一关系又叫做 R—S 关系(Van Roosbrock-Shockley)。引进一个无量纲参数 ， 上式可以改写为 (3.66) 其中 推导中利用了消光 系数与吸收系数的 关系 。 根据(3.66)，可以从 已知的吸收光谱