g-C3N4碳位掺杂电学及光学性质的分析.pdfVIP

物理化学学报(WuliHuaxueXuebao1 January Acta ．-Chim．Sin．2014，30(1)，43-52 43 [Article] doi：10．3866／PKU．WHXB201311082 www．whxb．pku．edu．cn g-C3N4碳位掺杂电学及光学性质的分析 阮林伟’ 裘灵光 朱玉俊L 卢运祥 (安徽大学化学化工学院，合肥230601； 华东理工大学化学与分子S-程学院，上海200237) 摘要：使用第一性原理研究了C位掺杂的g．CsN的电学性质和光学性质，掺杂原子为B、P、S．g-CsN有C1位 和C2位两种对称位碳原子，其中在C1位上的掺杂易于C2位，掺杂体系也较C2位稳定．相比于磷和硫在g— C。N上的掺杂，硼掺杂最易于进行．掺杂后体系的晶体结构之间差别较大，这与掺杂原子的大小以及电负性有 关．由轨道布居分布可知，掺杂后的硼、磷、硫原子价电子发生了变化，表明掺杂原子发生了杂化，与相邻原子以 强的共价键相连．掺杂原子与被取代的碳原子之间的价电子差异导致了能带的增加．在原来的体系中，掺杂后 的体系出现了一条新的能带，因此导致实际带隙下降，表明了掺杂后的体系导电性能增强．对纯g-C。N及掺杂 g．C。N的光学性质分析表明，g—C。N的光学吸收主要在紫外光区，掺杂磷和硫后对g-C。N 的光吸收波长范围无 改变，掺杂硼后的g．C。N光吸收不再局限于紫外光区，而且延伸至可见光区和红外光区，并在红外光区有很强 的吸收，表明g．C。N掺杂硼后能大大地提高光催化效率．电子能量损失光谱和光导率谱以及介电常数都佐证了 上述观点． 关键词： 掺杂；g-C。N：碳位； 电学：光学；第一性原理 中图分类号： O641 AnalysisofElectricalandOpticalPropertiesofg-C3N,with Carbon·PositionDoping RUANLin-Wei’ QIULing—Guang’’ ZHUYu-Jun LUYun—Xiang (C‘ollegeofChemistryandChemicalEngineering，AnhuiUniversity,Hefei230601，PR．China； Departmentof ChemistryandMolecularEngineering，EastChinaUniversityofScienceandTechnology,Shanghai200237，PR．China) Abstract： Somepropertiesofg-C3N4withcarbonpositionsdopedbyB，P’andSatomswereinvestigated usingquantummechanics(firstprinciples)．Therearetwosymmetriccarbonatomsing—C3N4，namedC1 andC2．C1jseasiertodopethanC2．andthesystem dopedatC1ismorestable．Itwasfoundthatitis easiertodope g-C3N4with B thanwith P and S．Thereare significantdifferencesamong the crystaI structuresafterdoping，thisisattributedtothesizesandelectronegativitiesofthedifferentdopingatoms． TheorbitaIpopulationdistributionsshowedthattheelectronicvalencesoftheB，