颅内压监测护理作业规范及程序.pdfVIP

國立台灣大學醫學院附設醫院 SICU護理作業規範及程序 修訂者 張瓊尹 顱內壓監測 ICP monitor 修訂日期：96.3.18 顱內高壓 正常顱內壓約10～15mmHg﹙10～18cmH2O﹚﹐隨不同姿勢而有所變化.而神經 外科病人則因腦腫脹常會有顱內壓升高的現象.由於局部的腫塊效應﹐例如:腫瘤 或血腫處﹐較高的壓力﹐相較下會產生一個壓力梯度﹙Pressure gradient﹚. 升高的顱內壓﹙IICP﹚會藉由腦血流的阻抗性增加﹐干擾或減少腦血灌流﹙Brain Perfusion﹚造成神經功能失調﹐而延著此壓力梯度﹐將可能造成腦組織疝脫 ﹙Herniation﹚﹐因此﹐顱內壓升高是神外病人常見之致死或致病因. 顱內壓監視器使用目的 於顱部手術後ICP升高可能是手術併發症之警訊;例如:術後血腫或腦腫脹, 可於續發性的腦部損傷發生前，得以偵測而進一步處理。 作為參考之治療指標且有助於預後的評估 ps.所謂＂secondary injury＂續發性腦損傷:即指因顱內壓增加,造成腦灌流減少而缺血,或 者是腦疝脫 蜘蛛膜下腔出血的病人.顱內壓監測也有很大幫助,顱內壓升高能預測再 出血的可能性,且能透過顱內壓監測以評估腦灌流壓.;在使用 3H(hypertension, hypervolemia, hemodilution,)療法治療血管攣縮時, 顱內壓測量亦有助於判斷所給液體容積與種類選擇是否適當. 1 適應症 嚴重腦傷/可能導致腦疝脫 GCS≤8分且有神經學症狀,顱內壓升高的患者 神經重症病人使用高劑量鎮靜劑者(Dormicrum,Propoful,Barbiturates) 電腦斷層或經顱超音波顯示有第三腦室壓迫或中線偏移者 IICP併水腦症, 如:腦腫瘤壓迫腦室者-- EVD放置以監測壓力且引流腦脊 髓液 測量之方法與原理 非侵入性顱內壓監視器少見,用於新生兒經囟門測量 侵入性顱內壓監視器經顱骨穿孔Burr hole放置 可放置以下各處:(如下圖) Intraventricular:腦室內,通常為側腦室 Subdural:硬腦膜下 Subarachnoid:蜘蛛膜下腔 Intraparenchymal:腦實質內 Epidural:硬腦膜上 壓力轉換器將接收到的壓力訊號轉換為電訊號由床旁生理監視器接收並於螢 幕上顯示波形,(淡藍色及紅色的即ICP) 依照使用轉換器的模式不同可分為兩大類: fluid-filled system non-fluid-coupled system fluid-filled system : 成本較低,感染率高,如;EVD, Subdural drainage. 2 一顱內導管接上 Extracranial transducer:即一般常見之 A-L 壓力轉換 器(arterial pressure tube),與其相連的顱內導管.此部份均屬fluid-filled tube(內部充滿液體,利用液體來傳導壓力),此類設備均需判斷顱內導管或螺 栓Bolt頂端的位置(一般為耳中線),以此高度歸零校正 依其不同位置,各有其特性分述如下: Intraventricular catheter:最常使用.經顱骨穿孔將導管插至側腦室, 導管尖端近foramen of Monro處,此導管內是充滿液體的(生理食鹽水), 經 3 way 外接一壓力轉換器,此裝置可提供最正的顱內壓數值與波形, 且可經此抽取腦脊髓液分析送檢. Subdural devices:以下均少見 The subarachnoid screw:導管經由固定於頭頂的金屬螺栓放入,置於 大腦穹隆(cerebral convexity)蜘蛛膜下