Rup_2P表面敏化TiO_2基复合薄膜光致界面电荷转移.pdfVIP

物理化学学报(WuliHuaxueXuebao) ActaPhys．一Chim．Sin。，2010，26(6)：1617—1622 l617 [Article】 WWW．whxb．pku．edu．cn RupzP表面敏化TiO2基复合薄膜光致界面电荷转移 翟晓辉 1,2 赵俊岩 1,2 巢 晖 曹亚安 (南开大学物理学院，天津 300071； 南开大学泰达应用物理学院，天津 300457； 。中山大学化学与化学工程学院，广州 510275) 摘要： 采用离子束溅射技术制备出Tiodrro、Zn掺杂的TiO2(TiO~-Zn)／／TO和TiOJZnO／ITO薄膜，采用表面 敏化技术和旋转涂膜法，制备出(1，10一邻菲咯啉)2_2(2一吡啶基)苯咪唑钌混配配合物(Rup2P)表面敏化的TiO基复 合薄膜 Rup2PT／iOdITO、Rup2PT／iO一Zn／ITO和Rup2PFFiO／ZnO／1TO．表面光电压谱 (sPs)结果发现：敏化后的 TiO基薄膜在可见区(~0-600nm)产生 SPS响应；TiO 基薄膜的能带结构不同，其在400—600nnl和350nm处 的SPS响应的峰高比不同．利用电场诱导表面光电压谱(EFISPS)，测定TiO基薄膜和表面敏化TiO。基复合薄膜 各种物理参数，并确定其能带结构．分析可知，表面敏化TiO2基复合薄膜在400--600nnl的 SPS响应峰主要源于 Rup2P分子的中心离子Ru 能级到配体 1，1O邻菲咯啉仃 和2．(2一吡啶基)苯咪唑仃；能级的跃迁；Ti02中zn2+ 掺杂能级有利于Ru4d能级到配体仃和 ；跃迁的光生电子向TiOZn导带的注入；TiOdZnO异质结构有利于 光生电子向ITO表面的转移，从而导致可见光(40o-6o0nm)SPS响应增强以及光电转换效率的提高． 关键词： Rup2P；表面敏化；TiO2-ZrdITO；TiO~ZnO／ITO；光致界面电荷转移 中图分类号： 0644 LightInducedInterfacialElectronTransferinRupzP Surface-SensitizedTiOrBasedFilm s ZHAIXia0一Hui’2 ZHAO Jun—YaIl’2 CHAOHui。 CAOYa—An卫 (CollegeofPhysics,NankaiUniversity,Tianjin 300071，PR．China； 2TedaAppliedPhysicsSchool,NankaiUniversity,Tianfin 300457,P．R．China； SSchoolofChemicalandChemistryEngineering．SunYat-SenUniversity,Guangzhou 510275,P．R．China) Abstract： TiO O，TiOz-Zn／ITOandTiOdZnO／ITOfilmswerepreparedbyion—beam sputtering，nadthenfurther surface—sensitizedwihthteRu(phen)2(PIBH)complex(Rup2P)ofRup2P，Ti02／ITO，Rup2P 02-Zn／1TO，nadRup#／ Ti0dZnO／ITObythespin-coatingmehtod．Surfacephotovoltagespectr