半导体物理2_semiconductor_ch2_2010_11.pdfVIP

第二章半导体中杂质和缺陷能级 第二章半导体中杂质和缺陷能级 2.1.1 缺陷的分类： 2.1.1 缺陷的分类： 点缺陷（point defects ） 点缺陷（point defects ） 线缺陷 （line defects ） 线缺陷 （line defects ） 面缺陷 （surface defects ） 面缺陷 （surface defects ） 点缺陷分为： 点缺陷分为： 热缺陷（本征缺陷） 热缺陷（本征缺陷） 杂质缺陷（非本征缺陷） 杂质缺陷（非本征缺陷） 其它缺陷 其它缺陷 1 ）几种典型的点缺陷 1 ）几种典型的点缺陷 空位（vacancy)：正常格点位置出现的原子缺失——the vacancy created by a missing atom A, denoted by VA 间隙式杂质（interstitial）：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置——an atom A occupying an interstitial site , denoted by IA 替位式杂质（substitutional): 杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处—— an atom C replacing a host atom A, denoted by CA 反位缺陷（anti-site):一种特殊的替位式缺陷，晶格中的主要原子B取代了 另一种主要原子A的位置——a special kind of substitutional defect in which a host atom B occupies the site of another host atom A. 弗伦克尔缺陷(Frenkel defect pair):离开平衡位置的原子进入晶格间隙位 置——a complex V -I formed by an atom A displaced from a A A lattice site to a nearby interstitial site. 弗伦克尔缺陷（Frenkel）: 离开平衡位置的原子进入 晶格的间隙位置，晶体中形成了弗伦克尔缺陷。弗伦克 尔缺陷的特点是空位和间隙原子同时出现，晶体体积不 发生变化，晶体不会因为出现空位而产生密度变化。 肖特基缺陷（Schottky）:离开平衡位置的原子迁移至 晶体表面的正常格点位置，而晶体内仅留有空位，晶体 中形成了肖特基缺陷。晶体表面增加了新的原子层，晶 体内部只有空位缺陷。肖特基缺陷的特点晶体体积膨 胀，密度下降。 以上也是两类典型的热缺陷！ 见2.4节：缺陷、位 见2.4节：缺陷、位 点缺陷分为： 错能级 错能级 热缺陷（本征缺陷） 包括两类主要的热缺陷:弗伦克尔缺陷 肖特基缺陷 杂质缺陷（非本征缺陷） 其它缺陷 a）热缺陷：当晶体的温度高于绝对零度时，晶格内原子吸收能量， a）热缺陷： 在其平衡位置附近热振动。温度越高，热振动幅度加大，原子的 平均动能随之增加。热振动的原子在某一瞬间可以获得较大的能 量，挣脱周围质点的作用，离开平衡位置，进入到晶格内的其它 位置，而在原来的平衡格点位置上留下空位。这种由于晶体内部 质点热运动而形成的缺陷称为热缺陷。（如空位和间隙原子） b ）杂质