单层硫化钼的研究进展_顾伟霞.pdf

材料与结构 与 纳米材料 结构 Materials and Structures Nanomaterial Structure 单层硫化钼的研究进展 ， 顾伟霞 马锡英 （ ， ） 苏州科技学院 数理学院 江苏 苏州 ２１５０１１ 　 　 ： （ ） ， 摘要 单层硫化钼 ＭｏＳ 是具有直接帯隙 １．８ｅＶ的二维半导体 因其特殊的六方晶系层状结 　 ２ ， 。 ： 构 而具有优异的物理和化学性质 简要介绍了ＭｏＳ 材料的几种主要制备方法 如高温硫化 ２ 、 ， 。 法 水热法以及表面活性剂促助法等 讨论了各种制备方法在国内外的研究现状及优缺点 给出 、 、 。 了单层ＭｏＳ 在晶体管 集成电路 逻辑运算等方面的一些应用 与硅晶体管相比其晶体管体积 ２ 更小、 ， ， ／ １０。 更省电 并可减少短通道效应 电流开 关比例高于 １０ 这些应用说明了其可被广泛应 。 ， ， 用于未来的纳米电子器件 最后 对 ＭｏＳ 未来的发展方向进行了展望 认为工艺制备方法有待 ２ ， 。 进一步改善 单层ＭｏＳ 的应用领域也有待进一步深入拓展 ２ ： （ ）； ； ； ； 关键词 硫化钼 ＭｏＳ 高温硫化法 水热法 表面活性剂促助法 纳米电子器件 ２ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ３０４．２５ Ａ １６７１－４７７６ ２０１３ ０２－００８１－０５ 　 　 ＲｅｓｅａｒｃｈＰｒｏｒｅｓｓｏｆｔｈｅＳｉｎ ｌｅＬａ ｅｒＭｏＳ 　 ｇ 　 　 　 ｇ －