山东理工大学模电第一章2X.pptVIP

参考书 1、模拟电子技术基础习题集 随书 2、电子技术基础 康华光 主编 高等教育出版社 3、模拟电子技术基础 余孟尝 主编 高等教育出版社 (2)输出特性曲线 输出特性曲线—— iC=f(uCE)? iB=const 共发射极接法的输出特性曲线如图所示，它是以 iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明， 当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当uCE稍增大时， 发射结虽处于正向电压 之下，但集电结反偏电 压很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0.7 V 集电区收集电子的能力 很弱，iC主要由vCE决定。 图共发射极接法输出特性曲线 当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 uCE ≥1 V uBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后uCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与uCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随uCE增大而右移的 图共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE的 数值较小，一般uCE＜0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 放大区——iC平行于vCE轴的区域， 曲线基本平行等距。 此时，发 射结正偏，集电结反偏，电压大于 0.7 V左右(硅管) 。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 (1)直流参数 ①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 1.4.4 半导体三极管的参数 在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(uCE=const)来求 取IC / IB ，如图所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。 图02.08 值与IC的关系 图 在输出特性曲线上决定 2.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/?1+ ?IB= /?1+ ? ②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向 饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。 图 ICEO在输出特性曲线上的位置 (2)交流参数 ①交流电流