96-修平科技大学进修学院.doc

【】 β，其值為: (A)1 (B)2 (C)0 (D)3。 試求圖二中之電流I為: (A)1mA (B)2mA (C)3mA (D)0mA。 在741型式op amp中第一級能提供的最大電流為19μA，而補償電容為30pF。求迴轉率為: (A)0.5V/μs (B)0.4V/μs (C)0.633V/μs (D)0.533V/μs。 下列敘述何者錯誤? (A)半導體材料中，若處於熱平衡下，其本質濃度為定值 (B)P型半導體是利用本質矽中，加入受體雜質，而N型半導體是利用本質矽加入施體雜質 (C)質量作用定律之關係式為(於熱平衡下) (D)若N型半導體中，雜質濃度為，則其自由電子濃度。 已知矽中摻入之施體原子濃度，受體原子濃度，於時，則在此溫度下，自由電子濃度 (A) (B) (C) (D) 。 圖一 圖二 承第6題，其電洞濃度 (A) (B) (C) (D) 。 下列敘述何者錯誤? (A)順偏電壓下，空乏區電容值越大，而空乏區寬度W越小 (B)空乏區主要落在高摻雜區 (C)逆偏下，PN接面中之電容效應主要為空乏區電容 (D)逆偏下，二極體主要電流成分為遷移電流。 反向偏壓二極體常作為電壓控制可變電容使用。已知某步級接面二極體在4V時，其空乏電容值為4PF，則在反向偏壓提高0.5V時，其電容值變為 (A)3.77 (B)4.77 (C)1.