计算机组成原理第三章课件(白中英版).pptVIP

软件学院·计算机组织与结构 第3章 存储系统 第3章 存储系统 3.1 存储器概述 3.2 随机读写存储器 3.3 只读存储器和闪速存储器 3.4 高速存储器 3.5 cache存储器 3.6 虚拟存储器 3.7 存储保护 3.1 存储器概述 存储器的两大功能： 1、 存储（写入Write） 2、 取出（读出Read） 三项基本要求： 1、大容量 2、高速度 3、低成本 3.1 存储器概述 概念 1、基本存储单元：存储一位（bit）二进制代码的存储元件称为基本存储单元（或存储元） 2、存储单元：主存中最小可编址的单位，是CPU对主存可访问操作的最小单位。 3、存储器：多个存储单元按一定规则组成一个整体。 3.1.1 存储器的分类 1. 按存储介质分类 2. 按存取方式分类 3. 按存储器的读写功能分类 4. 按信息的可保存性分类 5. 按在计算机系统中的作用分类 3.1.1 存储器分类 半导体存储器：用半导体器件组成的存储器 磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器 3.1.2 存储器的分级结构 寄存器 微处理器内部的存储单元 高速缓存（Cache） 完全用硬件实现主存储器的速度提高 主存储器 存放当前运行程序和数据，采用半导体存储器构成 辅助存储器 磁记录或光记录方式 磁盘或光盘形式存放可读可写或只读内容 以外设方式连接和访问 3.1.3 主存储器的技术指标 存储容量 主存存储容量：以字节B（Byte）为基本单位 半导体存储器芯片：以位b （Bit）为基本单位 存储容量以210＝1024规律表达KB，MB，GB和TB 厂商常以103＝1000规律表达KB，MB，GB和TB 存取时间（访问时间） 发出读/写命令到数据传输操作完成所经历的时间 存取周期 两次存储器访问所允许的最小时间间隔 存取周期大于等于存取时间 存储器带宽（数据传输速率） 单位时间里存储器所存取的信息量 3.2 随机读写存储器 SRAM（静态RAM：Static RAM） 以触发器为基本存储单元 不需要额外的刷新电路 速度快，但集成度低，功耗和价格较高 DRAM（动态RAM：Dynamic RAM） 以单个MOS管为基本存储单元 要不断进行刷新（Refresh）操作 集成度高、价格低、功耗小，但速度较SRAM慢 3.2.1 SRAM存储器 6个开关管组成一个存储元，存储一位信息 N(=1/4/8/16/32)个存储元组成一个存储单元 存储器芯片的大量存储单元构成存储体 存储器芯片结构： 存储单元数×每个存储单元的数据位数 ＝2M×N＝芯片的存储容量 M＝芯片地址线的个数 N＝数据线的个数 SRAM的控制信号 片选（CS*或CE*） 片选有效，才可以对芯片进行读/写操作 无效时，数据引脚呈现高阻状态，并可降低功耗 读控制（OE*） 芯片被选中有效，数据输出到数据引脚 对应存储器读MEMR* 写控制（WE*） 芯片被选中的前提下，若有效，将数据写入 对应存储器写MEMW* 静态MOS存储器 基本存储元—6管静态MOS存储元 A、电路图： 由两个MOS反相器交叉耦合而成的双稳态触发器。 静态MOS存储器 基本存储元—6管静态MOS存储元 B、存储元的工作原理 ①写操作。在字线上加一个正电压的字脉冲，使T2 、T3 管导通。若要写“0”，无论该位存储元电路原存何种状态，只需使写“0”的位线BS0 电压降为地电位（加负电压的位脉冲），经导通的Ｔ2 管，迫使节点Ａ的电位等于地电位，就能使Ｔ1 管截止而Ｔ0 管导通。写入1，只需使写1的位线BS1 降为地电位，经导通的T3 管传给节点Ｂ，迫使T0 管截止而T1 管导通。 写入过程是字线上的字脉冲和位线上的位脉冲相重合的操作过程。 静态MOS存储器 基本存储元—6管静态MOS存储元 B、存储元的工作原理 ②读操作。 只需字线上加高电位的字脉冲，使T2 、T3 管导通，把节点A、B分别连到位线。若该位存储电路原存“0”，节点Ａ是低电位，经一外加负载而接在位线ＢＳ0 上的外加电源，就会产生一个流入BS0 线的小电流（流向节点Ａ经T0 导通管入地）。“0”位线上BS0 就从平时的高电位Ｖ下降一个很小的电压，经差动放大器检测出“０”信号。 若该位原存“1”，就会在“1”位线BS1 中流入电流，在 BS1 位线上产生电压降，经差动放大器检测出读“1”信号。 读出过程中，位线变成了读出线。读取信息不影响触发器原来状态，故读出是非破坏性的读出。 ③若字线不加正脉冲，说明此存储元没有选中，T2 ，T3 管截止，A、B结点与位／读出线隔离，存储元存储并保存原存信息。 静态MOS存储器 RAM结构与地址译码—字结构或单译码方式 （1）结构：