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IGBT电路 工作原理 电路分析 工作原理 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 　 GTR电路分析 GTR是电流控制型器件，常用的是NPN型，其工作在正偏（IB0）时大电流导通；反偏（IB0）时处于截止。因此，给GTR的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关状态。 静态分析 输出特性可分为四个工作区： 　　① 截止区。在截止区内，iB≤0，UBE≤0，UBC＜0。Ib=0，集电极只有漏电流流过。 　　② 放大区。iB ＞0， UBE ＞0，UBC＜0，iC =βiB。 　　③ 饱和区。iB ＞Ics/β，UBE＞0，UBC＞0，iCS是集电极饱和电流，其值由外电路决定。 ④临界饱和区。 UBE＞0， UBC＜0，Ic,Ib呈非线性关系。 　　结论：两个PN结都为正向偏置是饱和的特征。饱和时，集电极、发射极间的管压降uCE很小，相当于开关接通，这时尽管电流很大，但损耗并不大。GTR刚进入饱和时为临界饱和，如iB继续增加，则为过饱和，用作开关时，应工作在深度饱和状态，这有利于降低uCE和减小导通时的损耗。 动态分析开关状态 由于结电容和过剩载流子的存在，其集电极电路的变化总是之后于基极电流的变化。 开通时间：ton=td+tr，td为结电容充电引起的，tr基区电荷贮存需要时间造成的。 关断时间：toff=ts+tf，ts为储存时间，tf为下降时间。 GTR的二次击穿和安全工作区 二次击穿是影响GTR安全可靠工作的一个重要因素。二次击穿是由于集电极电压升高到一定值(未达到极限值)时，发生雪崩效应造成的。防止二次击穿的办法是：①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护 以直流极限参数ICM、PCM、UCEM构成的工作区为一次击穿工作区，以USB (二次击穿电压)与ISB (二次击穿电流)组成的PSB (二次击穿功率)是一个不等功率曲线。为了防止二次击穿，要选用足够大功率的GTR，实际使用的最高电压通常比GTR的极限电压低很多。 场效应晶体管 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。 功率MOSEFT的工作原理于传统的MOS器件基本相同，当栅极加正向电压（UGS0)时，MOSEFT内沟道出现，形成漏极到源极的电流ID，器件导通，反之，当栅极加反向（UGS0)时，沟道消失，器件关断。 静态分析 　输出特性即是漏极的伏安特性。特性曲线，如图2(b)所示。由图所见，输出特性分为截止、饱和与非饱和3个区域。这里饱和、非饱和的概念与GTR不同。饱和是指漏极电流ID不随漏源电压UDS的增加而增加，也就是基本保持不变；非饱和是指地UCS一定时，ID随UDS增加呈线性关系变化 动态状态开关状态 　动态特性主要描述输入量与输出量之间的时间关系，它影响器件的开关过程。由于该器件为单极型，靠多数载流子导电，因此开关速度快、时间短，一般在纳秒数量级。 安全工作区 1、? 正向偏置安全工作区 　　正向偏置安全工作区，它是由最大漏源电压极限线I、最大漏极电流极限线Ⅱ、漏源通态电阻线Ⅲ和最大功耗限制线Ⅳ，4条边界极限所包围的区域。 2、? 开关安全工作区 　　开关安全工作区为器件工作的极限范围。它是由最大峰值电流IDM、最小漏极击穿电压BUDS和最大结温TJM决定的，超出该区域，器件将损坏。 绝缘栅双极晶体管IGBT IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结 。 IGBT是以GTR为主导元件、MOSEFT为驱动元件的达林顿结构器件。 IGBT的工作特性静态特性 IGBT?的伏安特性是指以栅源电压?Ugs?为参变量时，漏极电流与?栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流受栅源电压?Ugs?的控?制，?Ugs?越高，?Id?越大。它与?GTR?的输出特