第七章 半导体的接触现象.docVIP

第七章 半导体的接触现象 半导体的接触现象主要有半导体与金属之间的接触（肖特基结和欧姆接触）、半导体与半导体之间的接触（同质结和异质结）及半导体与介质材料之间的接触。 §7-1 外电场中的半导体 无外加电场时，均匀掺杂的半导体中的空间电荷处处等于零。当施加外电场时，在半导体中引起载流子的重新分布，从而产生密度为的空间电荷和强度为的电场。载流子的重新分布只发生在半导体的表面层附近，空间电荷将对外电场起屏蔽作用。 图7-1a表示对n型半导体施加外电场时的电路图。在图中所示情况下，半导体表面层的电子密度增大而空穴密度减小（见图7-1b、c），从而产生负空间电荷。这些空间电荷随着离开样品表面的距离的增加而减少。空间电荷形成空间电场，在半导体表面达到最大值（见图7-1d）。空间电场的存在将改变表面层电子的电势和势能（见图7-1e、f），从而改变样品表面层的能带状况（见图7-1g）。 电子势能的变化量为，其中是空间电场（也称表面层电场）的静电势。此时样品的能带变化为 = （7-1） 本征费米能级变化为 杂质能级变化为 （7-2） 由于半导体处于热平衡状态，费米能级处处相等。因此费米能级与能带之间的距离在表面层附近发生变化。无外电场时这个距离为 （）和（） （7-3） 而外场存在时则为 和 [] （7-4） 比较（7-3）和（7-4）式则知如果Ec和Ef之间的距离减少，Ef与Ev之间的距离则增加。 当外电场方向改变时，n型半导体表面层的电子密度将减少，空穴密度将增加，在样品表面附近的导电类型有可能发生变化，从而使半导体由n型变为p型，产生反型层，在离表面一定距离处形成本征区，此处的费米能级位于禁带的中央，见图7-2。在本征区附近导电类型发生变化的区域称物理pn结，这种由外场引起的物理pn结的特点是当外电场撤掉后，它就消失了。 下面分析外电场对一维n型非简并半导体的影响。由泊松方程可知外加电场引起的表面层电场和空间电荷之间有以下关系 （7-5） 如果用电势的梯度表示电场，则，于是泊松方程可改写为 （7-6） 假设半导体体内的电子密度为n0，由于半导体是非简并的，所以表面层的电子密度为 （7-7） 半导体的空间电荷密度由表面层的电离施主和自由电子密度决定。如果施主杂质全部电离，即，表面层中的空间电荷密度则为 （7-8） 下面只对情况讨论，即对在外电场的作用下能带变化不大的情况进行分析。这时将项展开成级数并只取前两项，则由（7-8）式得 （7-9） 若引入时，（7-6）式可写为如下形式 （7-10） 这个方程的解为 （7-11） 因为当时，，所以B=0，而在x=0处，。对于外加电场沿负x方向的n型半导体，由于0，从而。于是得到表面层电势 （7-12） 表面层电场 （7-13） 电子的势能 （7-14） 表面处空间电荷密度 （7-15） 总之，当半导体置于外电场时，表面层的电子和空穴的密度发生变化，能带发生弯曲。当0时，能带上弯，空穴密度增加。此时，n型半导体表面层中少子密度增加，而p型半导体则多子密度增加；当0时，能带下弯，电子密度增加。此时，n型半导体表面层中多子密度增加，而p型半导体则少子密度增加。（7-10）至（7-14）式中的为空间电场强度减弱为表面电场强度的时的距离，用来表征空间电荷对外场的屏蔽能力，通常称德拜屏蔽长度。金属的德拜屏蔽长度室温下约为10-8cm，而半导体的德拜屏蔽长度约为4。 §7-2 金属—半导体接触（肖特基结） 一．功函数 1．热电子发射。固体向真空发射电子需要一定的能量，这说明固体和真空间界面存在着阻止电子从固体表面逸出的势垒。因而只有能量大于该势垒的电子才能从固体发射出去。温度越高，电