我国在3D NAND存储器研发领域取得标志性进展.pdf

0uUook 微电子所成功开发l~64Mb阻变存储器晶圆 近 日，微 电子所集成 电路先导工 北京大学、微电子所微电子器件与集 期技术储备，也为新型存储技术的开 艺研发中心在阻变存储器 (ReRAM) 成技术重点实验室和西安交通大学， 发提供了一个研究开发平台。 及其与标准CM0S工艺集成研究上取 在基干逻辑代工厂完成前端工艺的晶 64Mb ReRAM芯片和 内嵌 得进展。 圆上，依托中心8英寸CMOS先导工艺 ReRAM IP的SOC由紫光国芯等单位 ReRAM作 研发平台，完成 了64Mb ReRAM和 共同设计，在实现基于ReRAM存储 为新型的非 易失 内嵌ReRAM IP的SOC的阻变存储后 机理和单元特性的读写电路、芯片构 性存储技术 ，具 端集成工艺开发与验证，制造完成整 架、可测试性设计、冗余设计、纠错 有读写速度快、 64MbReRAMdie照片 个芯片流片。开发的基于Hf0X材料 设计和系统访问管理等关键技术方面 操 作 电压低 、使用寿命长 、尺寸微 的 ReRAM单元一致性、持久力等性 实现 了突破和创新。两款芯片均已经 缩性好及与CM0ST．艺兼容性好等优 能 良好，阵列制备工艺简单 ，不仅与 在相关验证系统完成 了应用演示等相 点 ，一直备受产业界关注。微 电子所 CMOS工艺完全兼容 ，而且仅增加两 关测试，其中64MbReRAM芯片可成 先导中心赵超研究员团队联合国内具 层掩膜版，可快速低成本与逻辑工艺 功实现数据文件、图形文件及多媒体 有世界主流大容量存储器核心设计开 集成。该集成方案结合了代工厂工艺 文件的读写编辑及实时播放操作，在 发技术的西安紫光 国芯半导体有限公 稳定和实验室工艺 灵活的优点，充分 功耗 、速度和寿命等方面取得了令人 司 (原西安华芯半导体有限公司)任 体现了产学研通力合作的特点，不仅 满意的效果。 奇伟设计开发团队，以及清华大学、 为ReRAM制备工艺转向代工厂提供前 — — Mary 我国在3DNAND存储器研发领域 取得标志性进展 近 日，由国家存 储器基地 主要 芯片Jq~,#lJ通过电学特性等各项指标测 路设计的整套技术验证 ，向产业化道 承担单位长江存储科技有限责任公司 试，达到预期要求。该款存储器芯片 路迈出具有标志性意义的关键一步。 (以下简称 “长江存储”)与中科院 由长江存储与微电子所三维存储器研 在大数据需求驱动下，存储器芯 微 电子联合承担f193D NAND存储器 发中心联合开发，在微电子所三维存 片已是电子信息领域 占据市场份额最 研发项 目取得重要进展。据长江存储 储器研发中心主任、长江存储NAND 大的集成电路产品。我国在存储器芯 CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科 技术研发部项 目资深技术总监霍宗亮 片领域长期面临市场需求大而 自主知 技产业峰会上介绍，32层3D NAND 的带领下 ，成功实现 了工艺器件和电 识产权和关键技术缺乏的困境 ，开展 WWW．epc．corn cq． ·2017年3月 ‘今 日电子 圉圜圈 0utolok 大容量存储技术的研究和相关产品研 技术难点，为实现多层堆叠结构的3D 协作 ，完成了器件各项可靠性指标的 制迫在眉睫。传统平面型NAND存储 NAND阵列打下坚实基础。 优化 ，最终成功实现了全部可靠性参 器在降低成本的同时面临单元间串扰 数达标。 加剧和单字位成本增加等技术瓶颈。 在电路设计层面，堆叠三维阵列 寻求存储技术阶跃性的突破和创新 ， 的集