低能电子束照射接地绝缘薄膜的负带电过程!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 8 8 ’$$( 8 ， ， ， J*1 28 R* 28 )/S ’$$( （ ） #$$$;3’$K’$$(K8 $8 K3’#;## L.ML N5OPQ.L PQRQ.L !’$$( .=+ 2 NST 2 P*G 2 低能电子束照射接地绝缘薄膜的负带电过程! 李维勤 张海波! （西安交通大学电子科学与技术系教育部电子物理与器件重点实验室，西安 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’$$ #( ’$$ #$ # 为揭示低能电子束照射接地绝缘薄膜的负带电过程及其机理，建立了同时考虑电子散射与电子输运的计算模 型，综合)*+,- ./01* 方法和有限差分法进行了数值模拟，获得了内部空间电荷、泄漏电流和表面电位随电子束照射 的演化规律2 结果表明，入射电子因迁移、扩散效应会超越通常的散射区域产生负空间电荷分布，并经过一定的渡 越时间后到达接地基板，形成泄漏电流，负带电暂态过程则随着泄漏电流的增加而趋于平衡 在平衡状态下，泄漏 2 电流随电子束能量和电流而增大；薄膜净负电荷量和表面电位随膜厚而增加、随电子迁移率的增大而降低，随着电 子束能量的变化均会出现最大值2 关键词：绝缘薄膜，电子束照射，带电效应，数值模拟 ： ， ， ， !## 34$5 4#($6 ’’$7 ##89 定 当电子束能量大于使二次电子产额等于 的第 2 # #H 引 言 二临界能量的时候，电子束电流会大于从样品表面 ［ ］ 出射的二次电子电流，样品因此负带电#( 2 电子束与样品相互作用是目前扫描电镜成像与 对于上述可忽略泄漏电流的厚绝缘样品的负带 ［ ， ］ ［ ， ］ 检测、电子束探针微分析以及电子束曝光技术中的 电过程，近年来理论分析’ ’( 、 模拟’ 3$ )*+,- ./01* ［ ， ］ ［— ］